芯片制造期末復(fù)習(xí)資料-閱讀頁(yè)
2024-08-24 15:55本頁(yè)面
【正文】 稱(chēng)為管式反應(yīng)爐。 主要構(gòu)成：①溫度控制系統(tǒng) ②反應(yīng)塞 ③反應(yīng)爐 ④氣體柜 ⑤晶圓清洗臺(tái) ⑥裝片臺(tái) ⑦工藝自動(dòng)化。晶圓被自動(dòng)放入一個(gè)有進(jìn)氣和出氣的反應(yīng)塞中。熱輻射耦合進(jìn)入晶圓以每秒75攝氏度——125攝氏度的速率達(dá)到工藝溫度，而且在幾秒鐘之內(nèi)可以冷卻下來(lái)，晶圓本體未被加熱，這就叫做RTP。第十一章（1） 定義PN結(jié)：富含電子的區(qū)域（N型區(qū)）與富含空穴的區(qū)域（P型區(qū)）的分界處。（8） 離子注入后為何要退火 ①摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會(huì)被熱處理修復(fù) ②確保良好的導(dǎo)電性 ③通過(guò)加熱在晶圓表面的光刻膠將溶劑蒸發(fā)掉，從而得到精確的圖形第十二章（1） 薄膜的幾種分類(lèi) 按電性能可以分為①半導(dǎo)體膜 ②絕緣體膜 ③導(dǎo)體膜（2） 解釋幾種類(lèi)型的CVD①常壓CVD：在常壓CVD系統(tǒng)中反應(yīng)和淀積是在常壓下進(jìn)行 典型：水平管—熱感應(yīng)式APCVD 桶式—輻射感應(yīng)加熱APCVD 餅式熱感應(yīng)APCVD 連續(xù)傳導(dǎo)加熱APCVD②低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD）： 典型：水平對(duì)流熱傳導(dǎo)LPCVD 超高真空CVD 增強(qiáng)型等離子體 高密度等離子體CVD（HDPCVD) 金屬有機(jī)物CVD（MOCVD）（3） 解釋分子束外延 分子束外延技術(shù)是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長(zhǎng)外延薄層的技術(shù)。首先將氬氣充入室內(nèi)，并且電離成正電荷。在加速過(guò)程中這些離子受到引力作用，獲得動(dòng)量，轟擊靶材。氬離子轟擊靶，引起其他的原子分散。這就是濺射過(guò)程。第十四章（1） 畫(huà)出四探針測(cè)試儀的部件和電流流向示意圖 P271
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1