干法腐蝕工藝培訓(xùn)講義全-閱讀頁(yè)
2025-07-12 06:24本頁(yè)面
【正文】 5KOXIDE 為應(yīng)用材料的 MXP+，采用靜電吸附硅片，可以提高腐蝕速率的均勻性。終點(diǎn)控制模式。2．P5000METAL 為單片式刻蝕系統(tǒng)，有一個(gè) 28 位的硅片儲(chǔ)存室，可以一次將所有圓片傳入室內(nèi)，等待刻蝕。三、POLY ETCH主要設(shè)備有 P5KPOLY，T1611主要腐蝕氣體為 CL2，HBR，HCL 等。 CL2 是主要腐蝕氣體；HBr 可以形成 POLYMER 保護(hù)側(cè)壁，提高對(duì) PR 的選擇比；加入 HeO2 可以提高對(duì) OXIDE 的選擇比。用觀察腐蝕過(guò)程中腐蝕層干涉顏色的變化來(lái)確定終點(diǎn)，其方法雖然簡(jiǎn)單，但它要求操作者能夠識(shí)別不同復(fù)合層的圖形顏色，而且需要有充分的暴露面積以供腐蝕過(guò)程中用肉眼觀察，因而不適應(yīng)大生產(chǎn)。目前主要有發(fā)射光譜法、光學(xué)反射法、質(zhì)譜法、探針?lè)ā⒆杩贡O(jiān)視法等?，F(xiàn)在我們常用的是光譜法。硅片在被腐蝕的時(shí)候，腔體內(nèi)維持一個(gè)穩(wěn)定的反應(yīng)氣氛，所探測(cè)的物質(zhì)波長(zhǎng)發(fā)射密度基本不變，當(dāng)硅片快要腐蝕結(jié)束時(shí)（即到達(dá)終點(diǎn)位置） ，密度會(huì)發(fā)生突變，這樣經(jīng)過(guò)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換，即可探測(cè)到終點(diǎn)位置。.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手第六章 干法去膠當(dāng) SiO2 或 Al 等待刻蝕材料腐蝕完畢后， 起刻蝕掩蔽作用的光刻膠必須去除干凈，以給下一步工序留下一個(gè)清潔的表面。目前除了采用濕法去膠外，還有等離子去膠（干法去膠） 。A1000 去膠設(shè)備為一種等離子體下游式去膠，其去膠方式可以更小的減少對(duì)硅片的等離子損傷。.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手氮?dú)鈺?huì)阻止氧自由基的碰撞，起到阻礙（buffer）的作用.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手第七章 在線腐蝕工藝中常見(jiàn)異常及處理方法1. 腐蝕不凈例：GASAD 有 SIN 殘余原因分析：384 設(shè)備腐蝕能力不足，片內(nèi)均勻性差，不能滿足 1um 以下的產(chǎn)品工藝。2．AL 的后腐蝕原因分析：AL 腐蝕后去膠時(shí)間間隔太長(zhǎng)，造成空氣中的水氣與光刻膠中殘留的 CL 離子反應(yīng)生成 HCL，繼續(xù)腐蝕 AL。.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手3． AL 腐蝕后 TIN 殘留原因分析：AL 的結(jié)構(gòu)為 Ti375TiN600A/ALSICU4500A/TIN500A 由于AL 濺射后表面有梅花狀（分析為 Si 析出） ，造成刻蝕難以腐蝕干凈。4． 過(guò)腐蝕例：AL 過(guò)腐蝕造成 AL 條細(xì)，斷條等。 2．錯(cuò)誤選擇腐蝕程序。.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手5． 殘留物（同 4）一般指腐蝕以后圓片表面留有殘留的膜，沒(méi)有被刻蝕干凈。處理方法：優(yōu)化 RECIPE。處理方法：調(diào)整 He 流量至正常值。處理方法：清洗腐蝕腔體。.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手9． 去膠不凈/殘膠原因分析：去膠時(shí)間不夠或方法不當(dāng)。是狼就要練好牙，是羊就要練好腿。不奮斗就是每天都很容易，可一年一年越來(lái)越難。拼一個(gè)春夏秋冬！贏一個(gè)無(wú)悔人生！早安！ —————獻(xiàn)給所有努力的人.
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