[電子行業(yè)]電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-閱讀頁(yè)
2025-07-11 01:37本頁(yè)面
【正文】 穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM最大穩(wěn)壓電流。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP最大漏過(guò)脈沖功率 PMS最大承受脈沖功率 Po輸出功率 PR反向浪涌功率 Ptot總耗散功率 Pomax最大輸出功率 Psc連續(xù)輸出功率 PSM不重復(fù)浪涌功率 PZM最大耗散功率。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容 Coe共發(fā)射極輸出電容 Coeo共發(fā)射極開(kāi)路輸出電容 Cre共發(fā)射極反饋電容 Cic集電結(jié)勢(shì)壘電容 CL負(fù)載電容（外電路參數(shù)） Cp并聯(lián)電容（外電路參數(shù)） BVcbo發(fā)射極開(kāi)路，集電極與基極間擊穿電壓 BVceo基極開(kāi)路，CE結(jié)擊穿電壓 BVebo 集電極開(kāi)路EB結(jié)擊穿電壓 BVces基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓 BV cer基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓 D占空比 fT特征頻率 fmax最高振蕩頻率。 IBM在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值 ICMP集電極最大允許脈沖電流 ISB二次擊穿電流 IAGC正向自動(dòng)控制電流 Pc集電極耗散功率 PCM集電極最大允許耗散功率 Pi輸入功率 Po輸出功率 Posc振蕩功率 Pn噪聲功率 Ptot總耗散功率 ESB二次擊穿能量 rbb39?；鶇^(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻） rbb39。Cc基極集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積 rie發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻 roe發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻 RE外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)） RB外接基極電阻（外電路參數(shù)） Rc 外接集電極電阻（外電路參數(shù)） RBE外接基極發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)） RL負(fù)載電阻（外電路參數(shù)） RG信號(hào)源內(nèi)阻 Rth熱阻 Ta環(huán)境溫度 Tc管殼溫度 Ts結(jié)溫 Tjm最大允許結(jié)溫 Tstg貯存溫度 td延遲時(shí)間 tr上升時(shí)間 ts存貯時(shí)間 tf下降時(shí)間 ton開(kāi)通時(shí)間 toff關(guān)斷時(shí)間 VCB集電極基極（直流）電壓 VCE集電極發(fā)射極（直流）電壓 VBE基極發(fā)射極（直流）電壓 VCBO基極接地，發(fā)射極對(duì)地開(kāi)路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VEBO基極接地，集電極對(duì)地開(kāi)路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEO發(fā)射極接地，基極對(duì)地開(kāi)路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓 VCES發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓 Vp穿通電壓。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比 CTC電容溫度系數(shù) Cvn標(biāo)稱(chēng)電容 IF正向直流電流（正向測(cè)試電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。 IH恒定電流、維持電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流 IF(ov)正向過(guò)載電流 IL光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID暗電流 IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM發(fā)射極峰值電流 IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM最大輸出平均電流 IFMP正向脈沖電流 IP峰點(diǎn)電流 IV谷點(diǎn)電流 IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM控制極正向峰值電流 IR（AV）反向平均電流 IR（In）反向直流電流（反向漏電流）。 IRM反向峰值電流 IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM反向重復(fù)峰值電流 IRSM反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp反向恢復(fù)電流 Iz穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM最大穩(wěn)壓電流。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP最大漏過(guò)脈沖功率 PMS最大承受脈沖功率 Po輸出功率 PR反向浪涌功率 Ptot總耗散功率 Pomax最大輸出功率 Psc連續(xù)輸出功率 PSM不重復(fù)浪涌功率 PZM最大耗散功率。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特
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