[電子行業(yè)]電路設(shè)計基礎(chǔ)-wenkub
2023-07-11 01:37:03 本頁面
【正文】 PNP型低頻管、CNPN型高頻管、DNPN型低頻管、FP控制極可控硅、GN控制極可控硅、HN基極單結(jié)晶體管、JP溝道場效應(yīng)管、KN 溝道場效應(yīng)管、M雙向可控硅。0光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。五個部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2二極管、3三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。P普通管、V微波管、W穩(wěn)壓管、C參量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光電器件、K開關(guān)管、X低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、G高頻小功率管（f3MHz,Pc1W）、D低頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、A高頻大功率管（f3MHz,Pc1W）、T半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y體效應(yīng)器件、B雪崩管、J階躍恢復(fù)管、CS場效應(yīng)管、BT半導(dǎo)體特殊器件、FH復(fù)合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。 第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。 美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法 三、美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。1二極管、2=三極管、3三個pn結(jié)器件、nn個pn結(jié)器件。多位數(shù)字該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。 四、 國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法 德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。 第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。 除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。2%、177。 整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。 第一部分：O表示半導(dǎo)體器件 第二部分：A二極管、C三極管、AP光電二極管、CP光電三極管、AZ穩(wěn)壓管、RP光電器件。 一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義 CT勢壘電容 Cj結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv偏壓結(jié)電容 Co零偏壓電容 Cjo零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn結(jié)電容變化 Cs管殼電容或封裝電容 Ct總電容 CTV電壓溫度系數(shù)。發(fā)光二極管極限電流。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF正向總瞬時電流 iR反向總瞬時電流 ir反向恢復(fù)電流 Iop工作電流 Is穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f頻率 n電容變化指數(shù)；電容比 Q優(yōu)值（品質(zhì)因素） δvz穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt通態(tài)電壓臨界上升率 PB承受脈沖燒毀功率 PFT（AV）正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?PFTM正向峰值耗散功率 PFT正向?qū)偹矔r耗散功率 Pd耗散功率 PG門極平均功率 PGM門極峰值功率 PC控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi輸入功率 PK最大開關(guān)功率 PM額定功率。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻 RBB雙基極晶體管的基極間電阻 RE射頻電阻 RL負載電阻 Rs(rs)串聯(lián)電阻 Rth熱阻 R(th)ja結(jié)到環(huán)境的熱阻 Rz(ru)動態(tài)電阻 R(th)jc結(jié)到殼的熱阻 r δ衰減電阻 r(th)瞬態(tài)電阻 Ta環(huán)境溫度 Tc殼溫 td延遲時間 tf下降時間 tfr正向恢復(fù)時間 tg電路換向關(guān)斷時間 tgt門極控制極開通時間 Tj結(jié)溫 Tjm最高結(jié)溫 ton開通時間 toff關(guān)斷時間 tr上升時間 trr反向恢復(fù)時間 ts存儲時間 tstg溫度補償二極管的貯成溫度 a溫度系數(shù) λp發(fā)光峰值波長 △ λ光譜半寬度 η單結(jié)晶體管分壓比或效率 VB反向峰值擊穿電壓 Vc整流輸入電壓 VB2B1基極間電壓 VBE10發(fā)射極與第一基極反向電壓 VEB飽和壓降 VFM最大正向壓降（正向峰值電壓） VF正向壓降（正向直流電壓） △VF正向壓降差 VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VGT門極觸發(fā)電壓 VGD門極不觸發(fā)電壓 VGFM門極正向峰值電壓 VGRM門極反向峰值電壓 VF（AV）正向平均電壓 Vo交流輸入電壓 VOM最大輸出平均電壓 Vop工作電壓 Vn中心電壓 Vp峰點電壓 VR反向工作電壓（反向直流電壓） VRM反向峰值電壓（最高測試電壓） V（BR）擊穿電壓 Vth閥電壓（門限電壓）
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