[電子行業(yè)]電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-wenkub.com
2025-06-23 01:37 本頁(yè)面
【正文】 在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM最大穩(wěn)壓電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流 IF(ov)正向過(guò)載電流 IL光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID暗電流 IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM發(fā)射極峰值電流 IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM最大輸出平均電流 IFMP正向脈沖電流 IP峰點(diǎn)電流 IV谷點(diǎn)電流 IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM控制極正向峰值電流 IR（AV）反向平均電流 IR（In）反向直流電流（反向漏電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。Cc基極集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積 rie發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻 roe發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻 RE外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)） RB外接基極電阻（外電路參數(shù)） Rc 外接集電極電阻（外電路參數(shù)） RBE外接基極發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)） RL負(fù)載電阻（外電路參數(shù)） RG信號(hào)源內(nèi)阻 Rth熱阻 Ta環(huán)境溫度 Tc管殼溫度 Ts結(jié)溫 Tjm最大允許結(jié)溫 Tstg貯存溫度 td延遲時(shí)間 tr上升時(shí)間 ts存貯時(shí)間 tf下降時(shí)間 ton開(kāi)通時(shí)間 toff關(guān)斷時(shí)間 VCB集電極基極（直流）電壓 VCE集電極發(fā)射極（直流）電壓 VBE基極發(fā)射極（直流）電壓 VCBO基極接地，發(fā)射極對(duì)地開(kāi)路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VEBO基極接地，集電極對(duì)地開(kāi)路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEO發(fā)射極接地，基極對(duì)地開(kāi)路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓 VCES發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓 Vp穿通電壓。 IBM在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值 ICMP集電極最大允許脈沖電流 ISB二次擊穿電流 IAGC正向自動(dòng)控制電流 Pc集電極耗散功率 PCM集電極最大允許耗散功率 Pi輸入功率 Po輸出功率 Posc振蕩功率 Pn噪聲功率 Ptot總耗散功率 ESB二次擊穿能量 rbb39。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM最大穩(wěn)壓電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流 IF(ov)正向過(guò)載電流 IL光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID暗電流 IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM發(fā)射極峰值電流 IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM最大輸出平均電流 IFMP正向脈沖電流 IP峰點(diǎn)電流 IV谷點(diǎn)電流 IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM控制極正向峰值電流 IR（AV）反向平均電流 IR（In）反向直流電流（反向漏電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。 俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少，在此不介紹。 五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法 歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。1%、177。A、B、C、D、E┄┄表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。A檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B變?nèi)荻O管、C低頻小功率三極管、D低頻大功率三極管、E隧道二極管、F高頻小功率三極管、G復(fù)合器件及其他器件、H磁敏二極管、K開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L高頻大功率三極管、M封閉磁路中的霍爾元件、P光敏器件、Q發(fā)光器件、R小功率晶閘管、S小功率開(kāi)關(guān)管、T大功率晶閘管、U大功率開(kāi)關(guān)管、X倍增二極管、Y整流二極管、Z穩(wěn)壓二極管。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，JAN軍級(jí)、2三極管、NEIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251EIA登記順序號(hào)、A2N3251A檔。 第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。 第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。APNP型高頻管、B
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