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正文內(nèi)容

[電子行業(yè)]電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(留存版)

  

【正文】 交流輸入電壓 VOM最大輸出平均電壓 Vop工作電壓 Vn中心電壓 Vp峰點(diǎn)電壓 VR反向工作電壓(反向直流電壓) VRM反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓) V(BR)擊穿電壓 Vth閥電壓(門(mén)限電壓) VRRM反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓) VRWM反向工作峰值電壓 V v谷點(diǎn)電壓 Vz穩(wěn)定電壓 △Vz穩(wěn)壓范圍電壓增量 Vs通向電壓(信號(hào)電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 av電壓溫度系數(shù) Vk膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管) VL 極限電壓 二、雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義 Cc集電極電容 Ccb集電極與基極間電容 Cce發(fā)射極接地輸出電容 Ci輸入電容 Cib共基極輸入電容 Cie共發(fā)射極輸入電容 Cies共發(fā)射極短路輸入電容 Cieo共發(fā)射極開(kāi)路輸入電容 Cn中和電容(外電路參數(shù)) Co輸出電容 Cob共基極輸出電容。 一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義 CT勢(shì)壘電容 Cj結(jié)(極間)電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容 Cjv偏壓結(jié)電容 Co零偏壓電容 Cjo零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn結(jié)電容變化 Cs管殼電容或封裝電容 Ct總電容 CTV電壓溫度系數(shù)。 除四個(gè)基本部分外,有時(shí)還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。1二極管、2=三極管、3三個(gè)pn結(jié)器件、nn個(gè)pn結(jié)器件。P普通管、V微波管、W穩(wěn)壓管、C參量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光電器件、K開(kāi)關(guān)管、X低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、G高頻小功率管(f3MHz,Pc1W)、D低頻大功率管(f3MHz,Pc1W)、A高頻大功率管(f3MHz,Pc1W)、T半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y體效應(yīng)器件、B雪崩管、J階躍恢復(fù)管、CS場(chǎng)效應(yīng)管、BT半導(dǎo)體特殊器件、FH復(fù)合管、PINPIN型管、JG激光器件。0光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。 第四部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。1%、177。在額定功率下,允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。 IBM在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能連續(xù)地通過(guò)基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值 ICMP集電極最大允許脈沖電流 ISB二次擊穿電流 IAGC正向自動(dòng)控制電流 Pc集電極耗散功率 PCM集電極最大允許耗散功率 Pi輸入功率 Po輸出功率 Posc振蕩功率 Pn噪聲功率 Ptot總耗散功率 ESB二次擊穿能量 rbb39。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM最大穩(wěn)壓電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過(guò)的工作電流 IF(ov)正向過(guò)載電流 IL光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID暗電流 IB2單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM發(fā)射極峰值電流 IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM最大輸出平均電流 IFMP正向脈沖電流 IP峰點(diǎn)電流 IV谷點(diǎn)電流 IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM控制極正向峰值電流 IR(AV)反向平均電流 IR(In)反向直流電流(反向漏電流)。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。 俄羅斯半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法由于使用少,在此不介紹。A、B、C、D、E┄┄表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。 第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。 第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。 第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。多位數(shù)字該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。2%、177。發(fā)光二極管極限電流。39。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過(guò)的電流 iF正向總瞬時(shí)電流 iR反向總瞬時(shí)電流 ir反向恢復(fù)電流 Iop工作電流 Is穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f頻率 n電容變化指數(shù);電容比 Q優(yōu)值(品質(zhì)因素) δvz穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt通態(tài)電壓臨界上升率 PB承受脈沖燒毀功率 PFT(AV)正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?PFTM正向峰值耗散功率 PFT正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率 Pd耗散功率 PG門(mén)極平均功率 PGM門(mén)極峰值功率 PC控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi輸入功率 PK最大開(kāi)關(guān)功率 PM額定功率。 Ii 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM正向重復(fù)峰值電流 IFSM正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流) Io整流電流。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率 RF(r)正向微分電阻。
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