[電子行業(yè)]電路設(shè)計基礎(chǔ)-預(yù)覽頁
【正文】 M正向重復(fù)峰值電流 IFSM正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流） Io整流電流。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流 IF（AV）正向平均電流 IFM（IM）正向峰值電流（正向最大電流）。 第四部分：A、B、C┄┄表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。 如：BDX51表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S表示PNP鍺高頻小功率三極管。10%、177。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為177。 第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A器件使用材料的禁帶寬度Eg=~ 如鍺、B器件使用材料的Eg=~ 如硅、C器件使用材料的Eg 如砷化鎵、D器件使用材料的Eg 如銻化銦、E器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A、B、C、D、┄┄同一型號器件的不同檔別。N該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。JAN軍級、JANTX特軍級、JANTXV超特軍級、JANS宇航級、（無）非軍用品。 第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。表示三極管時：APNP型鍺材料、BNPN型鍺材料、CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。一、 中國半導(dǎo)體器件型號命名方法 半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。表示二極管時：AN型鍺材料、BP型鍺材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 第四部分：用數(shù)字表示序號 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號 例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管 日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法 二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。S表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。兩位以上的整數(shù)從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： 第一部分：用符號表示器件用途的類型。 第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。 第五部分：用字母表示器件分檔。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。三位數(shù)字代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。常見后綴如下： 穩(wěn)壓二極管型號的后綴。5%、177。 晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。 第三部分：多位數(shù)字表示器件的登記序號。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC電容溫度系數(shù) Cvn標稱電容 IF正向直流電流（正向測試電流）。 IH恒定電流、維持電流。 IRM反向峰值電流 IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM反向重復(fù)峰值電流 IRSM反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp反向恢復(fù)電流 Iz穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP最大漏過脈沖功率 PMS最大承受脈沖功率 Po輸出功率 PR反向浪涌功率 Ptot總耗散功率 Pomax最大輸出功率 Psc連續(xù)輸出功率 PSM不重復(fù)浪涌功率 PZM最大耗散功率。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容 Coe共發(fā)射極輸出電容 Coeo共發(fā)射極開路輸出電容 Cre共發(fā)射極反饋電容 Cic集電結(jié)勢壘電容 CL負載電容（外電路參數(shù)） Cp并聯(lián)電容（外電路參數(shù)） BVcbo發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓 BVceo基極開路，CE結(jié)擊穿電壓 BVebo 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓 BVces基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓 BV cer基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓 D占空比 fT特征頻率 fmax最高振蕩頻率?；鶇^(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻） rbb39。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC電容溫度系數(shù) Cvn標稱電容 IF正向直流電流（正向測試電流）。 IH恒定電流、維持電流。 IRM反向峰值電流 IRR晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM反向重復(fù)峰值電流 IRSM反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp反向恢復(fù)電流 Iz穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP最大漏過脈沖功率 PMS最大承受脈沖功率 Po輸出功率 PR反向浪涌功率 Ptot總耗散功率 Pomax最大輸出功率 Psc連續(xù)輸出功率 PSM不重復(fù)浪涌功率 PZM最大耗散功
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