半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)ppt課件-閱讀頁
2025-05-27 03:10本頁面
【正文】 ，對于電離雜質(zhì)散射，則 ， 時，不顯示橫向磁阻效應(yīng)。其中JJp Jn(a)Jn Jp(b)JBzBz=0， E=Ex b Bz?0 且 l/b1 J EEJl Bz?0 且 l/b1 Bz?0 且 l/b1 lb 霍爾效應(yīng)明顯的樣品，磁阻效應(yīng)就小，反之，霍爾電壓較小的樣品，磁阻就大。? 遷移率越大，霍爾角越大，所以常選用 InSb（ ）， InAs等高遷移率的材料制造磁敏電阻。因此能帶中的電子狀態(tài)重新分布形成若干個子帶，這些子帶稱為朗道能級。 設(shè) ， T=,則 B。Kz n=0n=1n=2在磁場下形成朗道子帶后，材料將對光吸收產(chǎn)生影響。 3KzEg(Bz=0) Eg(Bz) 無磁場的 E(kz)曲線 有磁場的 E(kz)曲線12123考慮到躍遷時遵守選擇定則因此只有能量滿足光子才能發(fā)生本征吸收，所以在磁場作用下，光吸 收還會發(fā)生磁振蕩現(xiàn)象。? 二維電子氣在強磁場作用下，沿界面方向電子運動發(fā)生磁量子化，因此又分成一系列分立的朗道能級，這樣電子能量就完全量子化了。 霍爾電導(dǎo) 由磁場作用引起，電導(dǎo) 由散射引起?？死嗤ㄟ^測量低溫強磁場中的 Si MOSFET反型層中的二維電子氣系統(tǒng)，在固定電流 I和磁場強度時，觀察霍爾電 VH、電流方向電勢差 VP和門電壓 VG的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)整數(shù)量子霍爾效應(yīng)。? 由于雜質(zhì)的作用， Landau能級的態(tài)密度將展寬，每個能級包含兩種狀態(tài) : 擴展態(tài) 和 局域態(tài)。? 當 Fermi能級位于能隙中時 , 出現(xiàn)霍爾平臺。由散射理論所計算的結(jié)果顯示出：當電子費米能級位于局域態(tài)時，擴展態(tài)的電子會補償應(yīng)由局域態(tài)貢獻的霍爾電流。從這一點來說Laughlin的這一觀點是 Prange觀點的另一種更實質(zhì)化、一般化的說法。Laughlin的假想實驗?zāi)Ｐ? 1982年，崔琦、施特默和赫薩德 (. Gossard)發(fā)現(xiàn)了分數(shù)量子霍爾效應(yīng)他們在 GaAsAlGaAs異質(zhì)結(jié)上觀察到，上述 的表示式中 i為分數(shù)，而不僅是整數(shù)。此后的大量實驗卻發(fā)現(xiàn)i=p/q， p是奇數(shù)或偶數(shù)，而對最低朗道能級， q總是奇數(shù)。? 整數(shù)量子霍爾效應(yīng) (IQHE)可以用 單粒子近似 很好地描述，其物理圖像已基本清楚。分數(shù)量子霍爾效應(yīng)是一個強磁場中的電子強關(guān)聯(lián)系統(tǒng)，要解釋分數(shù)量子霍爾效應(yīng)必須考慮 電子相互作用 。綠球代表被暫時凍結(jié)的電子 , 藍色為代表性電子的電荷密度 , 黑色箭頭代表磁通線
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