全的各種薄膜制備ppt課件-閱讀頁
2025-05-19 18:56本頁面
【正文】 。 ? 常用的固體潤滑劑有軟金屬 (Au， Ag， Pb，Sn等 )，層狀物質(zhì)（ MoS2， WS2，石墨， CaF2，云母等），高分子材料（尼龍、聚四氟乙烯等）等。 固體潤滑薄膜 離子鍍膜 ? 概念：離子鍍膜簡稱離子鍍，是在真空條件下利用氣體放電，使被氣化的物質(zhì)部分離子化，并在這些荷能粒子轟擊基體表面的同時沉積于其上并形成薄膜的一種氣相沉積方法。 一、離子鍍膜的原理和裝置 ? 離子轟擊，確切說應(yīng)該既有離子又有原子的粒子轟擊。 2．離子鍍的類型和特點(diǎn) ? 離子鍍設(shè)備要在真空 、 氣體放電的條件下完成鍍膜和離子轟擊過程 。 ? 二、離子鍍膜層的特點(diǎn) ? 離子轟擊對基片和膜 /基界面的作用 ? 離子轟擊對薄膜生長的作用 ? 繞射性 3．離子鍍的應(yīng)用 化學(xué)氣相沉積（ CVD） ? 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD)是通過氣相物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在基材表面上沉積固態(tài)薄膜的一種工藝方法 。 ? CVD的實(shí)現(xiàn)必須提供氣化反應(yīng)物 ， 這些物質(zhì)在室溫下可以是氣態(tài) 、 液態(tài)或固態(tài) ， 通過加熱等方式使它們氣化后導(dǎo)入反應(yīng)室 。 ? 為降低 CVD的溫度，開發(fā)出一些新型 CVD技術(shù)。 等離子輔助化學(xué)氣相沉積（ PACVD） ? 采用等離子體作為 CVD施加能量的方式 ， 除了可以對基片加熱外 、 反應(yīng)氣體在外加電場的作用下放電 ， 使其激活為活潑的分子 、 原子或離子 ， 降低了反應(yīng)激活能 。 電子束輔助化學(xué)氣相沉積 (EACVD)和激光束化學(xué)氣相沉積 (LACVD) ? 采用電子束或激光束對基片進(jìn)行轟擊和照射 ，也可以使基片獲得能量 ， 從而促進(jìn)和改善反應(yīng)的進(jìn)行 。 金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（ MOCVD） ? 金屬有機(jī)化合物是一類含有碳 氫金屬鍵的物質(zhì) ，在室溫下呈液態(tài) ， 并有較低的熱分解溫度 。 ? MOCVD的優(yōu)點(diǎn)是沉積溫度低 、 薄膜均勻性 、 基材適用性廣等優(yōu)點(diǎn) 。 PVD和 CVD兩種工藝的對比 ? 工藝溫度高低是 CVD和 PVD之間的主要區(qū)別 。 CVD法的工藝溫度超過了高速鋼的回火溫度 ，用 CVD法鍍制的高速鋼工件 ， 必須進(jìn)行鍍膜后的真空熱處理 ， 以恢復(fù)硬度 。 ? PVD所產(chǎn)生的沉積材料是以 “ 視線 ” 方式直射到基片上 ， 盡管蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜可采用工作轉(zhuǎn)動的方式改善薄膜的均勻性 ， 在離子鍍由于電場的作用可把帶電粒子沉積在更多的工件表面上 ，但一些小孔和凹槽處仍然難以接收到足夠的沉積材料而使薄膜均勻性較差 。 PVD和 CVD兩種工藝的對比 ? CVD沉積的薄膜內(nèi)應(yīng)力低。 ? CVD工藝中的內(nèi)應(yīng)力主要為熱應(yīng)力，小于本征應(yīng)力，因此可沉積較
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