納米薄膜ppt課件-閱讀頁
2025-05-18 03:30本頁面
【正文】 掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地 “ 長 ” 在基片上形成薄膜。 （ 2）外延生長一般可在低溫下進行。 （ 4）對薄膜進行原位檢測分析，從而可以嚴格控制薄膜的 生長級性質。 舉例： 室溫下在鋁片上形成氧化鋁膜，膜的厚度可以通過升高基片溫度而得到增加。 用于制備薄膜的化學氣相沉積涉及三個基本過程： （ 1）反應物的運輸過程 （ 2）化學反應過程 （ 3） 除去反應副產(chǎn)品過程 化學氣相沉積的優(yōu)點 可以準確地控制薄膜的組分及摻雜水平； 可在復雜形狀的基片上沉積成膜； 系統(tǒng)不需要昂貴的真空設備； 化學氣相沉積的高沉積溫度會大幅度改善晶體的結晶完整性； 可以利用某些材料在熔點或蒸發(fā)時分解的特點而得到其他方法無法得到的材料； 沉積過程可以在大尺寸基片或多基片上進行。用于電鍍的系統(tǒng)由浸在適當?shù)碾娊庖褐械年枠O和陰極構成，當電流通過時，材料便沉積在陰極上。 化學鍍 不加任何電場、直接通過化學反應而實現(xiàn)薄膜沉積方法叫化學鍍。 利用化學鍍可以沉積一些金屬膜（如 Ni， Co，Pd， Au）， Ag鍍是典型的例子，它是通過在硝酸銀溶液中使用甲醛還原劑將銀鍍在玻璃上。當電流通過時，金屬陽極表面被消耗并形成氧化層，換句話說，氧化物生長在金屬陽極表面。 LB技術 在適當?shù)臈l件下，不溶物單分子層可以通過特定的方法轉移到固體基底上，并且基本保持其定向排列的分子層結構。
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1