化學(xué)轉(zhuǎn)化膜ppt課件-閱讀頁
2025-05-18 18:11本頁面
【正文】 大，膜的生長速度降低，膜的孔隙率高，吸附力強，富有彈性，染色性好（易于染深色），但硬度，耐磨性略差；而降低硫酸濃度，則氧化膜生長速度加快，膜的孔隙少，硬度高，耐磨性好。溫度升高 ，膜的溶解速度加大， 膜厚降低 。要制取厚而硬的氧化膜時，必須降低操作溫度，在氧化過程中采用壓縮空氣攪拌和比較低的溫度，通常在 零度左右 進行硬質(zhì)氧化。n ④ 氧化時間 ：氧化時間的選擇，取決于電解液濃度、溫度、陽極電流密度和所需要的膜厚。31n ⑤ n ⑥ Fˉ,Cu2+,Fe2+等。若其含量超過極限值，甚至?xí)怪萍l(fā)生腐蝕穿孔（ Clˉ應(yīng)小于 ， Fˉ應(yīng)小于 ）；當電解液中 Al3+含量超過一定值時，往往使工件表面出現(xiàn)白點或斑狀白塊，并使膜的吸附性能下降，染色困難（ Al3+應(yīng)小于 20g/L）；當 Cu2+含量達，氧化膜上會出現(xiàn)暗色條紋或黑色斑點； Si2+常以懸浮狀態(tài)存在于電解液中，使電解液微量混濁，以褐色粉狀物吸附于膜上。32n ⑦ 鋁合金成分 ：一般來說 ,鋁金屬中的 其它元素使膜的質(zhì)量下降 ，且得到的氧化膜沒有純鋁上得到的厚 ,硬度也低，不同成分的鋁合金 ,在進行陽極氧化處理時要注意不能同槽進行。oxidation， MAO)又稱微等離子體氧化，是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用，生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。 n 2）當樣品上的電壓超過某一臨界值時，這層絕緣膜上某些薄弱環(huán)節(jié)被擊穿，發(fā)生微弧放電現(xiàn)象。n 4）在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金表面形成優(yōu)質(zhì)的強化陶瓷膜。 從根本上克服了鋁、鎂、鈦合金材料在應(yīng)用中的缺點，因此該技術(shù)有廣闊的應(yīng)用前景；n （ 4）有良好的絕緣性能，絕緣電阻可達 100MΩ；n （ 5）溶液為環(huán)保型，符合環(huán)保排放要求；n （ 6）工藝穩(wěn)定可靠，設(shè)備簡單；n （ 7）反應(yīng)在常溫下進行，操作方便，易于掌握；n （ 8）基體原位生長陶瓷膜，結(jié)合牢固，陶瓷膜致密均勻。鋁鈦可選用同一種液體。n 1. 氧化液工作電壓： 400V—750V 。n 3.大體約：每平方分米 — 安。 微弧氧化時間： 10—60 分鐘，時間越長，膜層越致密，但粗糙度也增加。n 5.n 6.39微弧氧化影響因素n 1. 工件 材質(zhì) 及 表面狀態(tài) ?。?1）微弧氧化對鋁材要求不高，不管是含銅或是含硅的難以陽極氧化的鋁合金，均可用于微弧氧化，且能得到理想膜層。n 2. 液體成分 對氧化造成的影響 電解液成分是得到合格膜層的關(guān)鍵因素。在相同的微弧電解電壓下，電解質(zhì)濃度越大，成膜速度就越快，溶液溫度上升越慢，反之，成膜速度較慢，溶液溫度上升較快。溫度 對微弧氧化的影響 一般為1090℃ 。且溫度高，會形成水氣。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。時間 對微弧氧化的影響 氧化時間越長，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。陰極材料 n 6. 微弧氧化過后，工件可不經(jīng)過任何處理直接使用，也可進行封閉，電泳，拋光等后續(xù)處理。46END47/
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