磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件-閱讀頁(yè)
2025-03-08 22:19本頁(yè)面
【正文】 高 ? 靶材經(jīng)離子刻蝕形成濺射溝道，此溝道一旦穿通，靶材即報(bào)廢，靶材利用率低 ? 對(duì)于矩形靶，濺射溝道似運(yùn)動(dòng)場(chǎng)上的“跑道”。 ? 非平衡磁控濺射陰極磁場(chǎng)可將等離子體擴(kuò)展到遠(yuǎn)離靶面的基片，使基片浸沒(méi)其中，因此又稱(chēng)“閉合磁場(chǎng)非平衡濺射”（ Closedfield Unbalanced Magron Sputtering,CFUBMS),可以以高速率沉積出多種材料的、附著力強(qiáng)的高質(zhì)量薄膜。 I W心 = W外 普通的（平衡）磁控濺射陰極 I型 W外 =0 II型 ? W心 =0 ? 特點(diǎn) ? 減少了弧光放電 ? 解決了陽(yáng)極消失問(wèn)題 ? 沉積速率比射頻濺射高五倍左右 ? 設(shè)備購(gòu)置費(fèi)和維修費(fèi)較射頻濺射低 五、 脈沖磁控濺射 中頻雙靶反應(yīng)濺射 近年來(lái)磁控濺射另一發(fā)展當(dāng)屬脈沖磁控濺射，這里只介紹其中應(yīng)用較廣的中頻雙靶反應(yīng)濺射 ? 設(shè)備安裝、調(diào)試及維護(hù)比射頻濺射容易 運(yùn)行穩(wěn)定 ? 膜層質(zhì)量 (緻密程度 )不比射頻的差 ? 用掃描電鏡做了某樣品表面形貌的初步觀察， RF和 MF的表面都很平整，沒(méi)有龜裂、針孔等缺陷。RF有 20nm左右的密密麻麻的小圓丘，而MF顯得很平 雙靶 孿生靶 ? 雙靶的“雙”字，如前所述原文是： twin或 dual都有孿生的意思，而不是簡(jiǎn)單的two ? 構(gòu)成雙靶的兩個(gè)靶一定要嚴(yán)格一致：結(jié)構(gòu)、材料、形狀、尺寸，加工與安裝精度； ? 運(yùn)用中兩個(gè)靶處于同一環(huán)境，壓力及氣體組分、抽氣速率等 3反應(yīng)濺射與反應(yīng)濺射滯回曲線(xiàn) ? 大部分化合物薄膜特別是介質(zhì)膜均由金屬靶通反應(yīng)氣體，用反應(yīng)濺射方法制備 ? 在靶電源為恒功率模式下，隨反應(yīng)氣體（如氧）流量變化（增加或減?。?，靶電壓變化呈非線(xiàn)性，類(lèi)似磁滯回曲線(xiàn) 硅靶通氧反應(yīng)濺射制備二氧化硅：靶電壓隨氧氣流量變化曲線(xiàn)有滯回現(xiàn)象（反應(yīng)濺射的固有特性） 0 20 40 60400450500550600650氧化態(tài)金屬態(tài)電壓(v)氧流量 (SCCM) 三種狀態(tài)（金屬態(tài) 過(guò)度態(tài) 氧化態(tài)）的特點(diǎn)及濺射速率變化 按不同采樣方法控制方式可分為 : ? 質(zhì)譜法 檢測(cè)反應(yīng)氣體的分壓強(qiáng)來(lái)控制反應(yīng) + ? 氣體流量。 ? 利用靶中毒時(shí)的外部特征（如靶電位、靶電流）來(lái)控制反應(yīng)氣體流量。 ? 靶材可以是導(dǎo)電的金屬靶，也可以是絕緣的陶瓷靶，但由于射頻電磁輻射對(duì)人體有害，工業(yè)應(yīng)用僅限于采用絕緣靶材 ? 射頻電磁輻射的屏蔽及靶的設(shè)計(jì)及安裝應(yīng)
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