場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-閱讀頁(yè)
2025-01-27 10:38本頁(yè)面
【正文】 間舊存在著導(dǎo)電溝道。 ? 各種 FET的特性比較及使用注意事項(xiàng) (自學(xué) ) ［轉(zhuǎn) 43］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 52 2022年 2月 9日星期三 第四章 53 FET放大電路 ? FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析 ? 1．直流偏置電路 ? FET與 BJT放大電路比較 ?（ 1）相同點(diǎn)：都要建立合適的 Q點(diǎn)。因此它需要有合適的柵極電壓。現(xiàn)以N溝道耗盡型 JFET為例說明如下： ? (1)自偏壓電路 ?如 圖 ，和 BJT的射極偏置電路相似，通常在源極接入源極電阻 R，就可組成自偏壓電路。圖中電容 C對(duì) R起旁路作用，稱為源極旁路電容。 2022年 2月 9日星期三 第四章 57 ? (2)分壓器式自偏壓電路 ? 雖然自偏壓電路比較簡(jiǎn)單，但當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)決定后， VGS和 ID就確定了，因而 R選擇的范圍很小。 2022年 2月 9日星期三 第四章 58 2022年 2月 9日星期三 第四章 59 ?漏極電源 VDD經(jīng)分壓電阻 Rg1和 Rg2分壓后，通過 Rg3供給柵極電壓 VG＝ Rg2VDD/(Rgl+Rg2)，同時(shí)漏極電流在源極電阻 R上也產(chǎn)生壓降 Vs＝IDR，因此，靜態(tài)時(shí)加在 FET上的柵源電壓為 : )(DDg2g1g2DDDDg2g1g2SGGSVRRRRIRIVRRRVVV???－ ?。剑 。剑健?022年 2月 9日星期三 第四章 60 ? 這種偏壓電路的另一特點(diǎn)是 適用于增強(qiáng)型管電路 。下面討論用公式進(jìn)行計(jì)算以確定 Q點(diǎn)。 2022年 2月 9日星期三 第四章 63 ?例 電路參數(shù)如圖 ，Rg1=2MΩ， Rg2=47kΩ， Rdd＝ 30kΩ， R=2kΩ， VDD=18V， FET的 Vp=一 1V，IDSS＝ ，試確定 Q點(diǎn)。 2022年 2月 9日星期三 第四章 66 ? 如果管子的輸出特性和電路參數(shù)已知，則可用圖解法進(jìn)行分析。 2022年 2月 9日星期三 第四章 67 ?1． FET的小信號(hào)模型 ?在 FET的互導(dǎo) gm和輸出電阻 rd。 )..(DDDgsdGSDSGSDS444 ?。剑剑。絀sIIvvvvvv?????2022年 2月 9日星期三 第四章 69 ?如果用 gm 表示電壓 控制的電流源，用rd表示電流源電阻，則作為雙口有源器件的FET(圖 )，也可導(dǎo)出其小信號(hào)模型，如圖 。 gsV?gsV?［轉(zhuǎn) 71］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 70 2022年 2月 9日星期三 第四章 71 ? 當(dāng) FET用在高頻或脈沖電路時(shí)，極間電容的影響不能忽略，這時(shí) FET需用高頻模型 (圖)來(lái)表示。分析步驟和 BJT電路相同。 2022年 2月 9日星期三 第四章 74 (1)中頻電壓增益 )..()(io)(mdmmdgsmomgsgsmgsi54411 ?。剑剑剑剑絉gRgRgRgRgVVAVVVVVVV?????????????2022年 2月 9日星期三 第四章 75 ? 式 ()中的負(fù)號(hào)表示 反相，共源電路屬倒相電壓放大電路。 ? 解： 圖 。和射極輸出器的 [式 ()]相比，可知 FET的gm相當(dāng)于 BJT的 (1+β)／ rbe≈β／ rbe。 ?由圖有： 2022年 2月 9日星期三 第四章 82 2022年 2月 9日星期三 第四章 83 )..(//)()(mmTTomTTTgsgsmTgsmTT1044111 ?。剑保剑焦剩接谑牵剑 。剑璯RgRRgRgRgIVVIVVVVVII??????????????2022年 2月 9日星期三 第四章 84 ? 即共漏電路的輸出電阻 Ro等于源極電阻 R和跨導(dǎo)的倒數(shù) 1/gm相并聯(lián)，所以輸出電阻 Ro 較小。 FET的三種基本放大電路的性能如表 。如果使其工作于可變電阻區(qū)，那么 FET可用作壓控可變電阻。 ?關(guān)于 FET用作可變電阻等的詳細(xì)討論，可參閱有關(guān)文獻(xiàn)。 2022年 2月 9日星期三 第四章 89 2022年 2月 9日星期三 第四章 90 ?作業(yè)： ，
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