醫(yī)用數(shù)字化x射線診斷設(shè)備質(zhì)量控制檢測(cè)-在線瀏覽
2025-02-21 22:08本頁(yè)面
【正文】 4bit ? 空間分辨率： 非晶硒探測(cè)器特性： 優(yōu)點(diǎn)： ? 直接光電轉(zhuǎn)換 ? 直接讀出 ? 量子檢測(cè)率（ DQE）較高 ? 曝光寬容度大 ? 后處理功能強(qiáng)大 缺點(diǎn)： FPD對(duì)環(huán)境溫度，濕度要求較高，需要較高的偏直電壓，刷新速度慢，仍不能滿足動(dòng)態(tài)攝影 ，所以不常用。 ? 與非晶硒平板探測(cè)器的主要區(qū)別在于熒光材料層和探測(cè)元陣列層的不同，其信號(hào)讀出、放大、 A/D轉(zhuǎn)換和輸出等部分基本相同。 ? 它利用碘化銫（ CsI）的特性， 將入射后的 X線光子轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光，再由具有光電二極管作用的非晶硅陣列變?yōu)殡娦盘?hào)，通過(guò)外圍電路檢出及 A/D轉(zhuǎn)換 ，從而獲得數(shù)字化圖像。 ? 非晶硅平板探測(cè)器具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率，高信噪比，直接數(shù)字輸出等優(yōu)點(diǎn)。 缺點(diǎn)： 高劑量時(shí) DQE不如非晶硒型； 因有熒光轉(zhuǎn)換層故存在輕微散射效應(yīng)； 銳利度相對(duì)略低于非晶硒型。但CCD對(duì) X射線不敏感，所以需要先將 X射線激發(fā)熒光屏產(chǎn)生熒光，經(jīng)增強(qiáng)后成為 Video信息，經(jīng)反光鏡反射到 CCD鏡頭，被采集并轉(zhuǎn)換為電信息，再轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息。 目前國(guó)內(nèi) 主 要 CCDDR探測(cè)器技術(shù)參數(shù)說(shuō)明 探測(cè)器 KeenrayCCDDR探測(cè)器， 深圳藍(lán)韻研制 XDS3000探測(cè)器 萬(wàn)東研制 IDC 4K/3KCCD探測(cè)器 IDC研制 類(lèi)型 針狀碘化銫 +非晶硅 硫氧化釓 +非晶硅 4K：針狀碘化銫 +非晶硅 3K：硫氧化釓 +非晶硅 影像尺寸 17″ 17″ 17″ 17″ 17″ 17″ 像素矩陣 4096 4096， 1680萬(wàn)像素 3072 3072， 940萬(wàn) 4K： 4096 4096， 1680萬(wàn)像素 3K： 3072 3072， 940萬(wàn) 像素尺寸 108um 143um 108um 極限空間分辨率 4K： 3K： 密度分辨率 65536灰階 16384灰階 16384灰階 動(dòng)態(tài)范圍 采集： 16比特 輸出： 16比特 采集： 12比特 輸出： 14比特 采集： 14比特 輸出： 14比特 圖像采集時(shí)間 6s 8s 8s 三、質(zhì)量控制 設(shè)備質(zhì)量控制檢測(cè)的分類(lèi) 驗(yàn)收檢測(cè)： X射線診斷設(shè)備這裝完畢或重大維修后，為鑒定其性能指標(biāo)是否符合約定值需進(jìn)行的質(zhì)量控制檢測(cè)。 穩(wěn)定性檢測(cè)： 為確定 X射線設(shè)備或在給定條件下獲得的數(shù)值相對(duì)于一個(gè)初始狀態(tài)的變化是否符合控制標(biāo)準(zhǔn)而進(jìn)行的質(zhì)量控制檢測(cè)。數(shù)字 X射線攝影（ DR）通用性能指標(biāo)部分、介入放射學(xué)設(shè)備、移動(dòng)式 X射線攝影設(shè)備和便攜式 X射線設(shè)備可參照使用。 常規(guī) X射線攝影設(shè)備的檢測(cè)項(xiàng)目與技術(shù)要求 常規(guī) X射線攝影設(shè)備的檢測(cè)項(xiàng)目與技術(shù)要求（續(xù)表） WS5212023 中對(duì)通用項(xiàng)目的要求 DR系統(tǒng)的通用檢測(cè)項(xiàng)目具體檢測(cè)方法 ? 管電壓 ? 輸出量重復(fù)性 ? 有用線束半值層 ? 曝光時(shí)間 X射線管電壓指示的偏離 ? 檢測(cè)方法：驗(yàn)收檢測(cè)時(shí)，在允許最大 X射線管電流的50%或多一些，加載時(shí)間約為 ，至少應(yīng)進(jìn)行 60kV、 80kV、 100kV 、 120kV或者電壓接近這些值的各檔測(cè)量（飛利浦為 79或 81kV） ? 要求： 177。 5%，以較大者控制 輸出量重復(fù)性 ? 檢測(cè)方法：將探測(cè)器房子檢查床上照射野中心，以 80kV,適當(dāng)?shù)墓茈娏鲿r(shí)間積（ 50mAs）照射 5次，計(jì)算 80kV時(shí)每管電流時(shí)間積的輸出量，建立基線值時(shí)，以此 5次的平均值作為基線值，并以一下公式計(jì)算輸出量的重復(fù)性。 10% 有用線束半值層 ? 檢測(cè)方法：分別將不同厚度（ 0mm，1mm~5mm）的鋁吸收片房子檢查床上方50cm（或 1/2SID）處，用同樣的條件進(jìn)行照射，依次測(cè)量并記錄空氣比釋動(dòng)能，并求得 80kV的半值層 ? 要求： ≥ 曝光時(shí)間指示偏離 (限驗(yàn)收檢測(cè) ) ? 檢測(cè)方法：采用數(shù)字式曝光計(jì)時(shí)儀器測(cè)量，重點(diǎn)檢測(cè)臨床常用時(shí)間檔 ? 要求： t≥ ， 177。 2ms或 177。選用適當(dāng)?shù)恼丈錀l件進(jìn)行照射后沖洗膠片。 1cm，中心 177。 關(guān)閉遮線器，再用一塊 15 cm 15cm， 2mm厚鉛板完全覆蓋在遮線器出線口，設(shè)置最低管電流或最低管電流時(shí)間積和最低管電壓進(jìn)行曝光并獲取一幅空白影像。 評(píng)價(jià)：適當(dāng)調(diào)整窗寬和窗位，目視檢查影像均勻，不應(yīng)看到偽影。如果生產(chǎn)廠家沒(méi)有提供規(guī)定值，則以測(cè)量的像素值或記錄的 DDI建立基線值。 設(shè)置焦點(diǎn) — 影像接受器距離（ SID）為 180cm，如達(dá)不到則調(diào)節(jié) SID為最大值。在上述相同的條件下重復(fù)曝光三次，記錄 DDI數(shù)值，計(jì)算平均
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