北京市西城區(qū)20xx屆高三物理上學(xué)期期末考試試題新人教版-在線瀏覽
2025-01-18 09:33本頁(yè)面
【正文】 A． B． C． D． 8．一個(gè)直流電動(dòng)機(jī)，線圈電阻是 ，當(dāng)它兩端所加電壓為 6V時(shí)，通過(guò)電動(dòng)機(jī)的電流是 2A。起初它們不帶電，貼在 A、 B下面的金屬箔是閉合的。下列說(shuō)法正確的是 A． A內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)比 B內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)大 B． A、 B內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)均為零 C． A左端的電勢(shì)比 B右端的電勢(shì)低 D． A左端的電勢(shì)比 B右端的電 勢(shì)高 10．一根通電直導(dǎo)線水平放置在地球赤道的上方，其中的電流方向?yàn)樽晕飨驏|，該導(dǎo)線所受地磁場(chǎng)的安培力方向?yàn)? A．水平向北 B．水平向南 C．豎直向上 D．豎直向下 11． 1966 年，在地球的上空完成了用動(dòng)力學(xué)方法測(cè)質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)。接觸以后，開(kāi)動(dòng)雙子星號(hào)飛船的推進(jìn)器，使飛船和火箭組共同加速。測(cè)出飛船和火箭組的速度變化 Δ v=。由以上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可測(cè)出火箭組的質(zhì)量 m2為 A． 3400kg B． 3485kg C． 6265kg D． 6885kg 12．如圖所示，固定于水平面上的金屬架 abcd處在豎直 a b c d M N v B ＋ － A B C ＋ a c d b B h a c d b 向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，金屬棒 MN沿框架以速度 v向右做勻速運(yùn)動(dòng)。為使 MN棒中不產(chǎn)生感應(yīng)電流，從 t=0開(kāi)始，磁感應(yīng)強(qiáng)度 B隨時(shí)間 t變化的示意圖為 二、多 項(xiàng)選擇題（ 本題共 4小題，每小題 3分，共 12分。 ） 13．下面列舉了四個(gè)物理量的單位，其中屬于國(guó)際單位制（ SI）的基本單位的是 A．千克（ kg） B．牛頓（ N） C．安培（ A） D．庫(kù)侖（ C） 14．一個(gè)質(zhì)量為 m、電荷量為 q的帶電粒子，以速度 v射入磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列說(shuō)法正確的是 A．若 v與 B的方向垂直，入射速度 v越大，則軌道半徑越大 B．若 v與 B的方向垂直，入射速度 v越大，則運(yùn)動(dòng)周期越大 C． 若 v與 B的方向 相同，則粒子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中速度不斷變大 D．若 v與 B的方向 相同 ， 則粒子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中速度保持不變 15．如圖所示，一個(gè)正方形導(dǎo)線框 abcd，邊長(zhǎng)為 L，質(zhì)量為 m。當(dāng) ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，線框速度為 v。 AB為圓周的水平E O A D B C 直徑， CD為豎直直徑。下列說(shuō)法正確的是 A．若小球在豎直平面內(nèi)繞 O點(diǎn)做圓周運(yùn)動(dòng)，則它運(yùn)動(dòng)的最小速度為 gL B．若小球在豎直平面內(nèi)繞 O點(diǎn)做圓周運(yùn)動(dòng)，則小球運(yùn)動(dòng)到 B點(diǎn)時(shí)的機(jī)械能最大 C．若將小球在 A點(diǎn)由靜止開(kāi)始釋放，它將在 ACBD圓弧上往復(fù)運(yùn)動(dòng) D．若將小球在 A點(diǎn)以大小為 gL 的速度豎直向上拋出，它將能夠到達(dá) B點(diǎn) 第二卷 （共 52分） 三、計(jì)算題（ 本題共 5 小題 。只寫出最后答案的不能得分。 ） 17． （ 9分）如圖所示， 一 個(gè) 傾角 θ ＝ 45176。一 個(gè)質(zhì)量 m=1kg的 小物塊（ 可 視為 質(zhì)點(diǎn)） 自 斜面頂端 從靜止開(kāi)始向下滑動(dòng)，到達(dá)斜面底端時(shí)與擋 板碰撞，假 設(shè)小物塊與擋板碰撞過(guò)程中無(wú) 機(jī)械能 損失。重力加速度 g＝ 10 m/s2。 18． （ 9分） 磁流體發(fā)電 是一項(xiàng)新興技術(shù) ， 如 圖 是 它的示意圖。 一束等離子體（即高溫下電離的氣體，含有大量正 、 負(fù) 帶電 粒 子 ） 以速度 v沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入 磁場(chǎng)
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