led芯片及其制備應(yīng)用-在線瀏覽
2025-02-02 01:06本頁面
【正文】 G ( 綠色 GaP 565nm )、 Y ( 黃色 GaAsP/GaP 585nm )、 E(桔色GaAsP/GaP 635nm )等； ☆ 高亮度 ： VG (較亮綠色 GaP 565nm )、 VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、 SR( 較亮紅色 GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度 ： UG﹑ UY﹑ UR﹑ UYS﹑ URF﹑ UE等。 11 2023年 1月 16日 借此可以控制 LED所發(fā)出的光的波長，也就是光譜或顏色。 LED工作電壓低 (僅~3V)，能主動發(fā)光且有一定亮度，亮度又能用電壓 (或電流 )調(diào)節(jié)。 存在的問題：晶格失配和熱應(yīng)力失配，會在外延層中產(chǎn)生大量缺陷；藍(lán)塞石是一種絕緣體，在上表面制作兩個電極，造成了有效發(fā)光面積減少；增加了工藝過程，制作成本高。因為硅是熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式，分別是 L接觸(Laterialcontact，水平接觸 )和 V接觸 (Verticalcontact，垂直接觸 )。 18 2023年 1月 16日 碳化硅襯底 (CREE公司專門采用 SiC材料作為襯底 )的 LED芯片， 電極是 V型電極，電流是縱向流動的 。碳化硅的熱導(dǎo)率為 490 W/(m ③ 碳化硅襯底 19 2023年 1月 16日 襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配 襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配 襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配 材料制備的難易程度及成本的高低 20 2023年 1月 16日 半導(dǎo)體單晶生長及襯底片加工 清洗 (Cleaning) 拋光 (Polishing) 檢查 (Inspection) 晶棒成長 切片 (Slicing) 研磨 (Lapping) 21 2023年 1月 16日 原料 — 長晶 — 定向 — 掏棒 — 滾磨 — 晶棒 — 定向 — 切片 —研磨 — 倒角 — 拋光 — 清洗 — 基片 22 2023年 1月 16日 23 2023年 1月 16日 24 2023年 1月 16日 25 2023年 1月 16日 通過對高純原料熔融、化合物單晶生長、切割、磨片、拋光、真空包裝等工藝，制成外延生長用襯底片。 ? LPE的技術(shù)較低，主要用于一般的發(fā)光二極管
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