led芯片制作流程ppt課件-在線瀏覽
2025-03-03 03:52本頁面
【正文】 光 LED時(shí)，一般使用 AlGaAs外延層，而使用 MOCVD生長紅黃光 LED時(shí)，一般生長 AlInGaP外延結(jié)構(gòu)。 Si襯底 優(yōu)點(diǎn) 晶體品質(zhì)高 尺寸大 成本低 易加工 良好的導(dǎo)電性 良好的導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性 不足 由于 GaN外延層不 Si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配，以 及在GaN的生長過程中容易形成非晶氮化硅，所以在 Si 襯底上很難得到無龜裂及器件級(jí)品質(zhì)的 GaN材料。 Si襯底制備流程 長晶 切片 拋光 退火 → → → 外延生長 藍(lán)寶石 緩沖層 NGaN pGaN MQW 在半導(dǎo)體基片上形成一個(gè)不基片結(jié)晶軸同晶向的半導(dǎo)體薄層，稱為半導(dǎo)體外延生長技術(shù)，所形成的薄層稱為外延層 ? P、 N極的分離表現(xiàn)為元素?fù)诫s度的丌同 外延生長方法 ? 依制程的丌同，可分為 LPE(液相磊晶 )、 MOCVD(有機(jī)金屬氣相磊晶 )及MBE(分子束磊晶 )。 ? MOCVD除了純度高，平整性好外，量產(chǎn)能力及磊晶成長速度亦較 MBE為快，所以現(xiàn)在大都以 MOCVD來生產(chǎn)。長有外延層的 GaN片也就是常稱的外延片。 作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線及遠(yuǎn)紅外線。 甩膠：將少許光刻膠滴在外延片
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