電子顯微鏡2-在線瀏覽
2025-02-02 00:17本頁(yè)面
【正文】 俊芳A累托石形貌 (5000倍 ) B鋯基柱撐累托石形貌 (5000倍 ) 21武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳A 掃描電鏡下蒙脫石形貌（ 6000倍） B掃描電鏡下鋯基柱撐蒙脫石形貌（ 6000倍）22武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳Fig. 2. SEM micrographs of the CM talc showing puckering of extremely thin, possibly 1–2 unit cell thickness, flexible sheets. A large amount of void interlamellar space implies very high effective porosity.23武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳Fig. 3. SEM micrographs of unground CM talc (a) and CM ground talc (b) samples.24武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳1 二次電子產(chǎn)額及二次電子像 (13)電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象SEM image of an 39。 (a louse fly of an alpine bird, the wallglider) formed by the secondary electrons emitted from the specimen39。二次電子圖像28武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳1 二次電子產(chǎn)額及二次電子像 (17)電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象氮化鈦晶體，放大倍數(shù) 5000， 二次電子像 29武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳1 二次電子產(chǎn)額及二次電子像 (18)電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象不良的 IC零部件，放大倍數(shù) 750 二次電子圖像 30武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳31武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳32武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳33武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳34武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳1 二次電子產(chǎn)額及二次電子像 (19)電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象二次電子像的優(yōu)點(diǎn)：（ 1） 分辨率高 ,最高可達(dá) 60A；（ 2） 放大倍數(shù)靈活，幾十到 10萬(wàn)可調(diào)（ 3） 景深大，是光學(xué)顯微鏡的幾百倍，所以 立體感強(qiáng) （ 4） 反差對(duì)比度好，圖象細(xì)節(jié)清楚（ 5） 可以與成分分布狀態(tài)結(jié)合觀察（后述）35武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳2 背散射電子像 (1)電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 背散射電子信號(hào)隨原子序數(shù) Z的增大而明顯地增多，因此其圖像可以反映物質(zhì)的成分信息。 形成圖象的過(guò)程與二次電子相似。因此，利用原子序數(shù)造成的襯度變化可以對(duì)樣品中的元素進(jìn)行 定性分析 。 此處的定性分析無(wú)法定出元素的種類，只能知道元素的相對(duì)原子序數(shù)大小。因?yàn)楸?
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1