【摘要】主講人:申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計(jì)方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2025-03-10 18:23
【摘要】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-02-21 00:43
【摘要】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長(zhǎng)技術(shù)?體單晶生長(zhǎng)技術(shù)單晶生長(zhǎng)通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長(zhǎng)可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長(zhǎng)技術(shù)外延指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長(zhǎng)問
2025-01-25 07:59
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個(gè)能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個(gè)價(jià)電子Si的4個(gè)價(jià)電子金剛石的4個(gè)價(jià)電子134,
2024-10-13 06:42
【摘要】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對(duì)電信號(hào)處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號(hào)為連續(xù)變化的信號(hào)時(shí),我們使用的電路為模擬電路。處理的信號(hào)為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-06-23 12:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡(jiǎn)史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-03-03 10:05
【摘要】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-06-16 04:52
【摘要】南通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)薄膜半導(dǎo)體太陽能電池光電特性畢業(yè)論文目錄摘要 IABSTRACT II第一章緒論 1概述 1太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速 2太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間巨大 3太陽能發(fā)電發(fā)展史 3國(guó)際太陽能光伏產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 5我國(guó)光伏發(fā)電的技術(shù)現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì) 6太陽能電池分類 7按
2025-08-10 02:11
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級(jí)Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2024-08-28 13:44
【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話:36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
2024-09-11 14:52
【摘要】第一章微電子工藝概述?微電子工藝是指微電子產(chǎn)品的制作方法、原理、技術(shù)。不同產(chǎn)品的制作工藝不同,且繁瑣復(fù)雜,但可以分解為多個(gè)基本相同的小單元,就是單項(xiàng)工藝,不同產(chǎn)品的制作就是將單項(xiàng)工藝按需要排列組合來實(shí)現(xiàn)的。?芯片制造半導(dǎo)體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上,在一片硅片上可以同時(shí)制作幾十甚至上百個(gè)特定的芯片。?芯片制造涉及五個(gè)大的制造
2025-06-24 12:40
【摘要】哈爾濱工業(yè)大學(xué)電工學(xué)教研室第11章常用半導(dǎo)體器件返回半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體三極管目錄返回電工和電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展史?一、電學(xué)的早期發(fā)展?1.摩
2025-06-29 06:37
【摘要】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-06-23 12:44
【摘要】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績(jī)!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點(diǎn):第
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-03-03 10:23