【正文】 性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高，所以貼片電容以鉭電容為多，根據(jù)其耐壓不同，貼片電容又可分為A、B、C、D 四個(gè)系列，具體分類如下：類型封裝形式耐壓A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位來表示，貼片電容的系列型號(hào)有040060080120181202222512，是英寸表示法，04 英寸，02 英寸，其他類同型號(hào)尺寸（mm）英制尺寸 公制尺寸 長(zhǎng)度及公差 寬度及公差 厚度及公差0402 1005 177。 177。 177。0805 2012 177。 177。 177。 177。 177。1210 3225 177。 177。1808 4520 177。 ≤1812 4532 177。 ≤2225 5763 177。 ≤3035 7690 177。 ≤貼片電容的命名貼片電容的命名:貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達(dá)到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求例風(fēng)華系列的貼片電容的命名貼片電容的命名:貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達(dá)到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。例風(fēng)華系列的貼片電容的命名：0805CG102J500NT0805：是指該貼片電容的尺寸套小，是用英寸來表示的08 英寸、05 英寸 1000mil=1英寸＝CG ：是表示做這種電容要求用的材質(zhì)，這個(gè)材質(zhì)一般適合于做小于10000PF 以下的電容，102 ：是指電容容量，前面兩位是有效數(shù)字、后面的2 表示有多少個(gè)零102＝10102 也就是＝1000PFJ ：是要求電容的容量值達(dá)到的誤差精度為5％，介質(zhì)材料和誤差精度是配對(duì)的500 ：是要求電容承受的耐壓為50V 同樣500 前面兩位是有效數(shù)字，后面是指有多少個(gè)零。貼片電容有中高壓貼片電容得普通貼片電容，、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位來表示，貼片電容系列的型號(hào)有02004006008012012181202225 等。容量精度在5％左右，但選用這種材質(zhì)只能做容量較小的，常規(guī)100PF 以下，100PF1000PF 也能生產(chǎn)但價(jià)格較高X7R 此種材質(zhì)比NPO 穩(wěn)定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10％左右?！般g貼片電解電容有黑色或灰色標(biāo)志的一頭是正極，另外一頭是負(fù)極?！?在網(wǎng)上查到這么一句話，可算是把板子上的鉭電解全部平反了！ 之前在復(fù)位電路總是不正常，查來查去，是復(fù)位的鉭電解極性接反了！ 以往用貼片電解大都就是對(duì)付鉭電解電容，隱約在意識(shí)里知道畫杠的一邊是接高電位，就沒有太注意其極性的表示方法。 真服了這種‘下賤’的表示方法，同樣是電解電容，鉭電解雖然昂貴一點(diǎn)，也不能搞特殊??！無極性電容以0800603兩類封裝最為常見；0805具體尺寸：1206具體尺寸：貼片電容以鉭電容為多，根據(jù)其耐壓不同，又可分為A、B、C、D四個(gè)系列，具體分類如下：類型 封裝形式 耐壓A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V貼片鉭電容的封裝是分為A型（3216），B型（3528）， C型（6032）， D型（7343），E型（7845）。貼片電容正負(fù)極區(qū)分一種是常見的鉭電容，為長(zhǎng)方體形狀，有“”標(biāo)記的一端為正； 另外還有一種銀色的表貼電容，想來應(yīng)該是鋁電解。 這種電容則是有“”標(biāo)記的一端為負(fù)。電容電阻外形尺寸與封裝的對(duì)應(yīng)關(guān)系是: 0402= 0603= 0805= 1206= 1210= 1812= 2225= 注：A\B\C\D四類型的封裝形式則為其具體尺寸,標(biāo)注形式為L(zhǎng) X S X H1210具體尺寸與電解電容B類3528類型相同0805具體尺寸： X X 1206具體尺寸： X 0X 請(qǐng)問怎么選擇這些封裝?答：貼片的封裝主要有：0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 電容電阻外形尺寸與封裝的對(duì)應(yīng)關(guān)系是: 0402= 0603= 0805= 1206= 1210= 1812= 2225=電容本身的大小與封裝形式無關(guān)，封裝與標(biāo)稱功率有關(guān)。但是型號(hào)是采用的英寸的表示方法。一般來說，封裝大的器件會(huì)比較便宜，小封裝的器件因?yàn)榧庸みM(jìn)度要高一點(diǎn)，有可能會(huì)貴一點(diǎn)，然后封裝大的電容耐壓值會(huì)比封裝小的同容量電容耐壓值高，這些都是要根據(jù)你實(shí)際的需要來選擇的，另外，小封裝的元器件對(duì)貼裝要求會(huì)高一點(diǎn)，比如 SMT機(jī)器的精度。為了不使后一級(jí)的工作點(diǎn)不受前一級(jí)的影響，就必須在直流方面把前一級(jí)和后一級(jí)分開。耦合電容的作用是將信號(hào)由前級(jí)電路傳送到后級(jí)電路，同時(shí)還具有隔離直流及頻率相對(duì)比較低的信號(hào)作用。濾掉低頻實(shí)際上是指電容和它之后的電路的輸入阻抗構(gòu)成一個(gè)低頻濾波器，濾掉了低頻分量，從這個(gè)角度也可以解釋隔直的作用。使輸出的直流更平滑。 旁路電容用在有電阻連接時(shí)，接在電阻兩端使交流信號(hào)順利通過。而實(shí)際上，芯片附近的電容還有蓄能的作用，這是第二位的。而去耦電容可以彌補(bǔ)此不足。 這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一（在vcc引腳上通常并聯(lián)一個(gè)去藕電容，這樣交流分量就從這個(gè)電容接地。去耦電容的主要功能就是提供 去耦：去除在器件切換時(shí)從高頻器件進(jìn)入到配電網(wǎng)絡(luò)中的RF能量。 旁路：從元件或電纜中轉(zhuǎn)移出不想要的共模RF能量。 我們經(jīng)?？梢钥吹剑陔娫春偷刂g連接著去耦電容，它有三個(gè)方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容；二是濾除該器件產(chǎn)生的高頻噪聲，切斷其通過供電回路進(jìn)行傳播的通路；三是防止電源攜帶的噪聲對(duì)電路構(gòu)成干擾。 在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。電容耦合的作用是將交流信號(hào)從前一級(jí)傳到下一級(jí)。直接耦合效率最高，信號(hào)又不失真，但是，前后兩級(jí)的工作點(diǎn)的調(diào)整復(fù)雜，相互牽連。同時(shí)，又能使交流信號(hào)順利的從前一級(jí)傳給后一級(jí)，同時(shí)能完成這一任務(wù)的方法就是采用電容傳輸或變壓器傳輸來實(shí)現(xiàn)。但不同的是，用電容傳輸時(shí)，信號(hào)的相位要延遲一些，用變壓器傳輸時(shí)，信號(hào)的高頻成份要損失一些。1．按制造工藝分類 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為雙極型和金屬氧化物半導(dǎo)體型兩類。該類存儲(chǔ)器件的工作速度快，與CPU處在同一量級(jí)，但集成度低，功耗大，價(jià)格偏高，在微機(jī)系統(tǒng)中常用做高速緩沖存儲(chǔ)器cache。該類存儲(chǔ)器有多種制造工藝，如NMOS, HMOS, CMOS, CHMOS等，可用來制造多種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，如靜態(tài)RAM、動(dòng)態(tài)RAM、EPROM等。微機(jī)的內(nèi)存主要由MOS型半導(dǎo)體構(gòu)成。2．按存取方式分類 　　半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為只讀存儲(chǔ)器（ROM）和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）兩大類。在使用過程中，只能讀出，一般不能修改，常用于保存無須修改就可長(zhǎng)期使用的程序和數(shù)據(jù)，如主板上的基本輸入/輸出系統(tǒng)程序BIOS、打印機(jī)中的漢字庫、外部設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序等，也可作為I/O數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)器、堆棧等。 （1）ROM的類型 　　根據(jù)不同的編程寫入方式，ROM分為以下幾種。掩膜ROM一旦制成后，其內(nèi)容不能再改寫，因此它只適合于存儲(chǔ)永久性保存的程序和數(shù)據(jù)。它的編程邏輯器件靠存儲(chǔ)單元中熔絲的斷開與接通來表示存儲(chǔ)的信息：當(dāng)熔絲被燒斷時(shí)，表示信息“0”；當(dāng)熔絲接通時(shí)，表示信息“1”。 ③ EPROM　　EPROM（erasable programmable ROM）是一種紫外線可擦除可編程ROM。EPROM芯片的上方有一個(gè)石英玻璃窗口，當(dāng)需要改寫時(shí)，將它放在紫外線燈光下照射約15～20分鐘便可擦除信息，使所有的擦除單元恢復(fù)到初始狀態(tài)“1”，又可以編程寫入新的內(nèi)容。 ④ EEPROM　　EEPROM也稱E2PROM（electrically erasable programmable ROM）是一種電可擦除可編程ROM。它能像RAM那樣隨機(jī)地進(jìn)行改寫，又能像ROM那樣在掉電的情況下使所保存的信息不丟失，即E2PROM兼有RAM和ROM的雙重功能特點(diǎn)。 ⑤ 閃速存儲(chǔ)器　　閃速存儲(chǔ)器（flash memory），簡(jiǎn)稱Flash或閃存。與EEPROM的主要區(qū)別是：EEPROM是按字節(jié)擦寫，速度慢；而閃存是按塊擦寫，速度快，一般在65～170ns之間。 　　Flash是近年來發(fā)展非?？斓囊环N新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。目前，F(xiàn)lash在微機(jī)系統(tǒng)、尋呼機(jī)系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)和智能儀器儀表等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。它的存儲(chǔ)電路由MOS管觸發(fā)器構(gòu)成，用觸發(fā)器的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)來表示信息“0”或“1”。在微機(jī)系統(tǒng)中，SRAM常用做小容量的高速緩沖存儲(chǔ)器。它的存儲(chǔ)電路是利用MOS管的柵極分布電容的充放電來保存信息，充電后表示“1”，放電后表示“0”。在微機(jī)系統(tǒng)中，DRAM常被用做內(nèi)存（即內(nèi)存條）。它的存儲(chǔ)電路由SRAM和E2PROM共同構(gòu)成，在正常運(yùn)行時(shí)和SRAM的功能相同，既可以隨時(shí)寫入，又可以隨時(shí)讀出。NVRAM多用于掉電保護(hù)和保存存儲(chǔ)系統(tǒng)中的重要信息。 　　隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也得到迅速發(fā)展，不斷涌現(xiàn)出新型存儲(chǔ)器芯片。動(dòng)態(tài)RAM有快速頁模式DRAM（fast page mode DRAM, FPM DRAM）、擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出RAM（extended data output RAM, EDORAM）、同步DRAM（synchronous DRAM, SDRAM）、Rambus公司推出的RDRAM（Rambus DRAM）、Intel公司推出的DRDRAM（direct Rambus DRAM）等。、CPLD特點(diǎn)及區(qū)別FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)與 CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件)都是可編程邏輯器件，它們是在PAL,GAL等邏輯器件的基礎(chǔ)之上發(fā)展起來的。這樣的FPGA／CPLD實(shí)際上就是一個(gè)子系統(tǒng)部件。經(jīng)過了十幾年的發(fā)展，許多公司都開發(fā)出了多種可編程邏輯器件。 FPGA／CPLD芯片都是特殊的ASIC芯片，它們除了具有ASIC的特點(diǎn)之外，還具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)： 所以， FPGA／CPLD的資金投入小，節(jié)省了許多潛在的花費(fèi)。用戶可以反復(fù)地編程、擦除、使用或者在外圍電路不動(dòng)的情況下用不同軟件就可實(shí)現(xiàn)不同的功能。 FPGA／CPLD軟件包中有各種輸入工具和仿真工具，及版圖設(shè)計(jì)工具和編程器等全線產(chǎn)品，電路設(shè)計(jì)人員在很短的時(shí)間內(nèi)就可完成電路的輸入、編譯、優(yōu)化、仿真，直至最后芯片的制作。電路設(shè)計(jì)人員使用FPGA／CPLD進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，不需要具備專門的IC(集成電路)深層次的知識(shí)， FPGA／CPLD軟件易學(xué)易用，可以使設(shè)計(jì)人員更能集中精力進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，快速將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。CPLD是復(fù)雜可變成邏輯器件的簡(jiǎn)稱。換句話說,FPGA更適合于觸發(fā)器豐富的結(jié)構(gòu),而CPLD更適合于觸發(fā)器有限而乘積項(xiàng)豐富的結(jié)構(gòu)。 3）、在編程上FPGA比CPLD具有更大的靈活性。FP GA可在邏輯門下編程,而CPLD是在邏輯塊下編程。 5）、CPLD比FPGA使用起來更方便。而FPGA的編程信息需存放在外部存儲(chǔ)器上,使用方法復(fù)雜。這是由于FPGA是門級(jí)編程,并且CLB之間采用分布式互聯(lián),而CPLD是邏輯塊級(jí)編程,并且其邏輯塊之間的互聯(lián)是集總式的。CPLD又可分為在編程器上編程和在系統(tǒng)編程兩類。其優(yōu)點(diǎn)是可以編程任意次,可在工作中快速編程,從而實(shí)現(xiàn)板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的動(dòng)態(tài)配置。 9）、一般情況下,CPLD的功耗要比FPGA大,且集成度越高越明顯。許多設(shè)計(jì)人員已經(jīng)感受到CPLD容易使用、時(shí)序可預(yù)測(cè)和速度高等優(yōu)點(diǎn)，然而，在過去由于受到CPLD密度的限制，他們只好轉(zhuǎn)向FPGA和ASIC。 CPLD結(jié)構(gòu)在一個(gè)邏輯路徑上采用1至16個(gè)乘積項(xiàng)，因而大型復(fù)雜設(shè)計(jì)的運(yùn)行速度可以預(yù)測(cè)。CPLD在本質(zhì)上很靈活、時(shí)序簡(jiǎn)單、路由性能極好，用戶可以改變他們的設(shè)計(jì)同時(shí)保持引腳輸出不變。如今，通信系統(tǒng)使用很多標(biāo)準(zhǔn)，必須根據(jù)客戶的需要配置設(shè)備以支持不同的標(biāo)準(zhǔn)。這為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來很大的方便，因?yàn)樵跇?biāo)準(zhǔn)尚未完全成熟之前他們就可以著手進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)，然后再修改代碼以滿足最終標(biāo)準(zhǔn)的要求。CPLD可編程方案的優(yōu)點(diǎn)如下：●邏輯和存儲(chǔ)器資源豐富(CYPRESS Delta39K200的RAM超過480 Kb)●帶冗余路由資源的靈活時(shí)序模型●改變引腳輸出很靈活●可以裝在系統(tǒng)上后重新編程●I/O數(shù)目多●具有可保證性能的集成存儲(chǔ)器控制邏輯●提供單片CPLD和可編程PHY方案 由于有這些優(yōu)點(diǎn)，設(shè)計(jì)建模成本低，可在設(shè)計(jì)過程的任一階段添加設(shè)計(jì)或改變引腳輸出，可以很快上市CPLD的結(jié)構(gòu)CPLD是屬於粗粒結(jié)構(gòu)的可編程邏輯器件。CPLD的路由是連接在一起的，而FPGA的路由是分割開的。 CPLD以群陣列（array of clusters）的形式排列，由水平和垂直路由通道連接起來。 CPLD之所以稱作粗粒，是因?yàn)椋c路由數(shù)量相比，邏輯群要大得到。CPLD的功能塊CPLD最基本的單元是宏單元。 因?yàn)槊總€(gè)宏單元用了16個(gè)乘積項(xiàng)，因此設(shè)計(jì)人員可部署大量的組合邏輯而不用增加額外的路徑。 宏單元以邏輯模塊的形式排列(LB)，每個(gè)邏輯模塊由16個(gè)宏單元組成。 每個(gè)邏輯群有8個(gè)邏輯模塊，所有邏輯群都連接到同一個(gè)可編程互聯(lián)矩陣。前者每模塊有8,192b存儲(chǔ)器，