ebsd及其在材料科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用-在線瀏覽
2025-06-30 22:06本頁(yè)面
【正文】 行自動(dòng)取向測(cè)量和標(biāo)定。在掃描電鏡x射線能譜分析中，可能難以在化學(xué)成分基礎(chǔ)上區(qū)別某元素的氧化物(如Fe203，F(xiàn)e304和FeO)、碳化物(如M7C3，M3C等)或氯化物，但EBSD有時(shí)卻很容易地從相的結(jié)晶學(xué)關(guān)系上毫無(wú)疑問的分開，如直接區(qū)別鐵的體心立方和面心立方。傳統(tǒng)的晶粒尺寸測(cè)量依賴于顯微組織圖象中晶界的觀察。因此，嚴(yán)重孿晶顯微組織的晶粒尺寸測(cè)量就變得十分困難。材料微觀區(qū)域的殘余應(yīng)力會(huì)使局部的晶面變得歪扭、彎曲，從而使EBSD的菊池線模糊，因而可通過觀察菊池圖像質(zhì)量可定型評(píng)估應(yīng)變大小。由于EBSP技術(shù)的分析區(qū)域遠(yuǎn)小于ECP技術(shù)，所以即使試樣的宏觀形變達(dá)80％，仍可進(jìn)行微觀應(yīng)變分析，因而對(duì)應(yīng)變?cè)u(píng)定的范圍有很大的改進(jìn)。如果對(duì)用于不同晶面指數(shù)的亮帶的角分辨率進(jìn)行比較，則還可以用來(lái)探討不均勻形變及其所導(dǎo)致的晶粒間的錯(cuò)向度等問題[1213]。前者雖然可以獲得材料晶體結(jié)構(gòu)及取向的宏觀統(tǒng)計(jì)信息，但不能與微觀組織形貌相對(duì)應(yīng)，也無(wú)從知道不同相及不同晶粒取向的分布狀況。而透射電鏡由于受到樣品制備及方法本身的限制往往只能獲得材料非常局部的晶體信息，無(wú)法與材料制備加工工藝及性能直接聯(lián)系[14]。在取向測(cè)量方面，TEM只被推薦用于低于EBSD的分辨率極限(即小于0．19m)的測(cè)量，如納米多晶材料和嚴(yán)重變形材料。幾種衍射技術(shù)比較見表1[15]。歸納起來(lái)，EBSD技術(shù)具有以下四個(gè)方面的特點(diǎn)：(1)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)分析的精度已使EBSD技術(shù)成為一種繼x光衍射和電子衍射后的一種微區(qū)物相鑒定新方法；(2)晶體取向分析功能使EBSD技術(shù)已成為一種標(biāo)準(zhǔn)的微區(qū)織構(gòu)分析技術(shù)；(3)EBSD方法所具有的高速(每秒鐘可測(cè)定100個(gè)點(diǎn))分析的特點(diǎn)及在樣品上自動(dòng)線、面分布采集數(shù)據(jù)點(diǎn)的特點(diǎn)已使該技術(shù)在晶體結(jié)構(gòu)及取向分析上既具有透射電鏡方法的微區(qū)分析的特點(diǎn)又具有x光衍射(或中子衍射)對(duì)大面積樣品區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析的特點(diǎn)；(4)進(jìn)行EBSD分析所需的樣品制備相對(duì)于TEM樣品而言大大簡(jiǎn)化。參考文獻(xiàn)[1] HKL Technolo
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