無機(jī)封裝基板ppt課件-在線瀏覽
2025-06-29 08:39本頁面
【正文】 封 裝 基 板（ 2） 薄膜法 216。216。但是，金屬膜層與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)應(yīng)盡量一致，而且應(yīng)設(shè)法提高金屬化層的附著力。 在多層結(jié)構(gòu)中，與陶瓷基板相接觸的膜金屬，一般選用具有充分的反應(yīng)性，結(jié)合力強(qiáng)的 IVB族金屬 Ti、 Zr、及 VIB族金屬 Cr、 Mo、W等。 無 機(jī) 封 裝 基 板（ 3）共燒法 216。216。（ b）由于絕緣體與導(dǎo)體做成一體化結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)氣密封裝。 無 機(jī) 封 裝 基 板二、各類陶瓷基板氧化鋁基板 氧化鋁（ Al2O3）價(jià)格較低，從機(jī)械強(qiáng)度、絕緣性、導(dǎo)熱性、耐熱性、耐熱沖擊性、化學(xué)穩(wěn)定性等方面考慮，其綜合性能好，作為基板材料，使用最多，其加工技術(shù)與其他材料相比也是最先進(jìn)的 。 Buyer法216。因此， αAl2O3結(jié)構(gòu)的充填極為密實(shí)，鋁與氧靠離子間的庫侖力相結(jié)合，因此， Al2O3的物理性能，化學(xué)性能穩(wěn)定，具有密度高、機(jī)械強(qiáng)度大等特性。 難熔金屬法 ，作為 Al2O3基板表面的金屬化方法，是在1938年由德國的得利風(fēng)根公司和西門子公司分別獨(dú)立開發(fā)的。216。216。Al2O3（MnAl2O4），作為中間層增加了金屬化層與 Al2O3基板的結(jié)合力，化學(xué)反應(yīng)式為 Mn +H2O→MnO+H 2 MnO+Al2O3 →MnO 但是，這樣獲得的導(dǎo)體膜直接焊接比較困難，一般要在其表面電鍍 Ni, Au, Ag等。 混合集成電路用基板216。 多層電路基板 無 機(jī) 封 裝 基 板a、混合集成電路用基板 無 機(jī) 封 裝 基 板厚膜混合 IC用基板：216。216。因此 Al2O3中的玻璃相及較粗糙的表面會明顯的提高厚膜導(dǎo)體的結(jié)合力。 薄膜厚度一般在數(shù)千埃以下，薄膜的物理性能、電氣性能等受基板表面粗糙度的影響很大，特別是對像電容器等采用多層結(jié)構(gòu)的薄膜元件，影響更大。216。因此，通常采用局部被釉基板。 近年來，在薄膜混合 IC中越來越多的采用表面粗糙度小、純度99％以上的 Al2O3基板。 無 機(jī) 封 裝 基 板216。利用同時(shí)燒成技術(shù)制作的 LSI封裝，氣密性好，可靠性高。 在電子封裝從 DIPLCCPGABGACSP裸芯片實(shí)裝的整個(gè)發(fā)展歷程中， Al2O3一直起著十分關(guān)鍵的作用。b、 LSI封裝用基板 無 機(jī) 封 裝 基 板C、多層電路基板NEC開發(fā)的 100mm100mm的 Al2O3多層電路基板 IBM308X系列的 TCM（ thermal conduction module）的 Al2O3多層電路基板由 Al2O3陶瓷多層電路基板與聚酰亞胺多層薄膜布線板構(gòu)成的復(fù)合基板。 無 機(jī) 封 裝 基 板莫來石基板216。其熱膨脹系數(shù)也低，可減小搭載 LSI的熱應(yīng)力，而且與導(dǎo)體材料 Mo、 W的熱膨脹系數(shù)的差也小，從而共燒時(shí)與導(dǎo)體間出現(xiàn)的應(yīng)力低。216。216。由于莫來石的熱膨脹系數(shù)較低，再通過添加少量的 MgO。 無 機(jī) 封 裝 基 板日立公司開發(fā)的莫來石多層電路基板已用于大型計(jì)算機(jī)，這種基板由 W做導(dǎo)體層，共 44層，在這種基板上還搭載了以莫來石為基板材料、由 7層 W導(dǎo)體層構(gòu)成的芯片載體。 氮化鋁的熱導(dǎo)率是 Al2O3的十倍以上， CTE與硅片相匹配，這對于大功率半導(dǎo)體芯片的封裝及高密度封裝無疑是至關(guān)重要的，特別是作為 MCM封裝的基板具有良好的應(yīng)用前景。 AlN非天然存在而是人造礦物的一種，于 1862年由Genther等人最早合成。216。K）。 過去雖然在 AlN單晶中達(dá)到較高的熱導(dǎo)率（大約為 250 W/（ mK），是相當(dāng)?shù)偷摹?16。影響 AlN陶瓷熱導(dǎo)率的各種因素 無 機(jī) 封 裝 基 板AlN粉末制作方法還原氮化法以 Al2O3為原料，通過高純碳還原，再與 N2反應(yīng)形成 AlN,其反應(yīng)為 Al2O3﹢ 3C﹢ N2→2AlN ﹢ 3CO↑該反應(yīng)為吸熱反應(yīng)，為維持反應(yīng)進(jìn)行要持續(xù)加熱。直接氮化法使 Al粉末與 N2反應(yīng)進(jìn)行直接氮化，而后將生成物粉碎成所需要的AlN粉末，
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