以電沉積法制作大面積氧化鋅薄膜與奈米柱陣列-在線瀏覽
2025-06-24 22:21本頁面
【正文】 Advisor： Student： ShihKai Shu Outline ? Introduction ? Experimental Section ? Results and Discussion ? Conclusion ? Future work Introduction ? 氧化鋅 (ZnO) 是寬能隙且直接能隙特性的半導(dǎo)體材料之一，具有六方晶結(jié)構(gòu) (hexagonal structure) ，其室溫下能隙為 eV，透過摻雜可得穩(wěn)定的導(dǎo)電性，且激子鍵結(jié)能較高，為 60 meV。 ? 在室溫下仍有良好的發(fā)光效率，再者，在可見光波長內(nèi)，氧化鋅的高穿透性更提高了做為光電元件上的應(yīng)用性。 ? 而製備高秩序氧化鋅奈米線陣列對於實(shí)現(xiàn)微光電元件是一個(gè)很重要的階段。 ? 試片的準(zhǔn)備方式是以鑽石切割筆將 ITO 玻璃切成 20 mm 20 mm 大小，各別用甲醇、丙酮以超音波震洗 5分鐘。 ? 由於模板是通孔的陽極氧化鋁模板，必須將一面孔洞做封孔的動(dòng)作，本實(shí)驗(yàn)使用POLA
物理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1