襯底制備ppt課件-在線瀏覽
2025-06-20 06:28本頁(yè)面
【正文】 ZnO 、 HgCdTe ? 3. 絕緣體 藍(lán)寶石 表 1 周期表中用作半導(dǎo)體的元素 ? Ⅱ 族 Ⅲ 族 Ⅳ 族 Ⅴ 族 Ⅵ 族 ? 第 2周期 B C N ? 第 3周期 Al Si P S ? 第 4周期 Zn Ga Ge As Se ? 第 5周期 Cd In Sn Sb Te ? 第 6周期 Hg Pb 元素半導(dǎo)體 Si： ? ① 占地殼重量 20%25%； ? ② 單晶直徑最大 ， 目前 16英吋 （ 400mm） ,每 3年增加 1英寸； ? ③ SiO2作用 :掩蔽膜 、 鈍化膜 、 介質(zhì)隔離 、 絕 緣介質(zhì) （ 多層布線 ） 、 絕緣柵 、 MOS電容的介質(zhì)材料； ? ④ 多晶硅 （ PolySi） ：柵電極 、 雜質(zhì)擴(kuò)散 源 、 互連線 （ 比鋁布線靈活 ） ； 元素半導(dǎo)體 Ge： ① 漏電流大：禁帶寬度窄 ， 僅 (Si:)； ② 工作溫度低： 75℃ （ Si:150℃ ） ； ③ GeO2:易水解 （ SiO2穩(wěn)定 ） ； ④ 本征電阻率低： 47Ωcm（ Si: 105Ω ? 優(yōu)點(diǎn)：電子和空穴遷移率均高于 Si ? 最新應(yīng)用研究：應(yīng)變 Ge技術(shù) Ge溝道 MOSFET 第一章 襯底制備 對(duì)襯底材料的要求 ： N型與 P型都易制備； ： 103–108Ω 第一章 襯底制備 起始材料 石英巖 （ 高純度硅砂 SiO2） ① SiO2+SiC+C→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金級(jí)硅： 98%； ② Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2， 三氯硅烷室溫下呈液態(tài) （
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