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2025-06-15 23:34本頁(yè)面
【正文】 的受光面 ? 鈍化膜 (介質(zhì) )的主要作用是保護(hù)半導(dǎo)體器件表面不受污染物質(zhì)的影響，半導(dǎo)體表面鈍化可降低半導(dǎo)體表面態(tài)密度。 PECVD對(duì)電性能影響 ? 的利用率，有助于提高光生電流密度，起到提高電流進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率的作用。 PECVD:直接式 PECVD:間接式 ? 間接 PECVD的特點(diǎn)： ? 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。 ? 間接 PECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。膜的厚度主要與溫度，腔體內(nèi)微波源的功率和鍍膜時(shí)間有關(guān)。 ? 氨氣會(huì)嚴(yán)重灼傷眼、皮膚及呼吸道。 ? 暴露在氨氣中會(huì)對(duì)眼睛造成中度到重度的刺激。癥狀包括灼傷感、咳嗽、喘息加重、氣短、頭痛及惡心。暴露在 5000ppm下 5分鐘會(huì)造成死亡。 ? 吸入：將人員移到空氣清新處，若呼吸困難，則輸氧，并迅速進(jìn)行醫(yī)務(wù)處理。 PECVD特氣的性質(zhì)（ 2） ? 硅烷 (SiH4): 是一種無(wú)色、與空氣反應(yīng)并會(huì)引起窒息的氣體。它的首要危害是引起嚴(yán)重的熱灼傷。如沒(méi)有自燃會(huì)非常危險(xiǎn)，不要靠近，不要試圖在切斷氣源之前滅火。 ? 吸入高濃度的硅烷會(huì)引起頭痛、惡心、頭暈并刺激上呼吸道。硅烷會(huì)刺激皮膚、硅烷分解產(chǎn)生無(wú)定型二氧化硅顆粒會(huì)引起皮膚刺激。 ? 吸入：盡快移到空氣清新處，如有必要須進(jìn)行輸氧或人工呼吸。較高頻率（ 4MHz）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。但是，功率密度不宜過(guò)大，超過(guò) 1W/cm2時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。這樣能保證氮化硅薄膜在 HF中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。 PECVD的影響因素 ? 4．氣體流量 ? 影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。 ? 5．反應(yīng)氣體濃度 ? SiH4的百分比濃度及 SiH4/NH3流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。因此，必須控制氣體中的 SiH4濃度，不宜過(guò)高，并采用較高的 SiN比。 ? 6．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。 ? 槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等性能。 ? LIFT：機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在小車(chē)、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間互相移動(dòng)。 ? 加熱系統(tǒng)：位于石英管外，有五個(gè)溫區(qū)。 ? 冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn) : ? 沒(méi)有消耗凈室空氣 ? 不同管
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