【正文】 行前視、后視、左視、右視、俯視以及底部視角進(jìn)行拍照留底。l 模塊引腳鍍層光潔無氧化、生銹。l 樣品老化測試前封裝無縫隙，老化后封裝縫隙寬度≤≤10mm。2℃）下，使用數(shù)顯卡尺量測IGBT模塊的封裝外形尺寸，量測內(nèi)容包括IGBT模塊封裝的長、寬、厚、安裝孔位置尺寸、安裝孔位直徑、引腳位置尺寸、引腳高度、引腳直徑以及廠商規(guī)格書上所標(biāo)注的其他外形尺寸。封裝外形尺寸應(yīng)同時(shí)滿足以下要求方為合格：l 模塊規(guī)格書中安裝尺寸、引腳定義以及引腳截面積符合電路板設(shè)計(jì)要求。l 在室溫以及老化測試后，模塊外形尺寸均在廠商規(guī)格書宣稱公差范圍內(nèi)。2℃）下，使用散熱膏涂抹工裝在IGBT模塊基板上均勻涂抹散熱膏，散熱膏的厚度不超過500μm，推薦300μm。按照模塊規(guī)定的緊固力矩和緊固順序安裝模塊，所有螺絲緊固分為按照以下步驟進(jìn)行：l 按照要求緊固順序及緊固力矩對所有螺絲進(jìn)行預(yù)緊。l 所有螺絲打緊后確認(rèn)模塊處于緊固狀態(tài)，按照規(guī)定的緊固力矩和緊固順序按照以下步驟拆除模塊。l 按照要求緊固順序及緊固力矩將所有螺絲取下。表一：力矩參照表螺絲規(guī)格緊固力矩預(yù)松力矩螺絲規(guī)格緊固力矩預(yù)松力矩M36kgfcmM528kgfcmM414kgfcmM648kgfcm模塊拆除后，將模塊基板底部向上與散熱器對應(yīng)固定區(qū)域并排放置。圖1 模塊平整度測試對比圖按照要求緊固順序及緊固力矩采用標(biāo)準(zhǔn)緊固力矩電批，對模塊進(jìn)行反復(fù)20次緊固拆除操作，對模塊進(jìn)行緊固力測試。在完成反復(fù)20次緊固拆除后，擦去模塊及散熱器上殘留散熱膏。模塊拆除后，將模塊基板底部向上與散熱器對應(yīng)固定區(qū)域并排放置?；迤秸葴y試要求同一模塊完成測試全部步驟后同時(shí)滿足以下要求方為合格：l 功能性能正常。l 基板與散熱器導(dǎo)熱硅脂接觸面積必須大于總體基板面積80%。完成本規(guī)范要求的其他測試項(xiàng)目后，在室溫（25℃177。模塊外殼封裝去除過程中，應(yīng)避免破壞模塊內(nèi)部引線。拍照要能夠詳細(xì)反映模塊內(nèi)部晶圓布局、綁定線及晶元拓?fù)浞绞胶妥呔€工藝布局，并且需要與同類型其他廠商內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖片進(jìn)行對比分析。FS150R12KT3內(nèi)部晶元布局GD150FFL120C6S內(nèi)部晶元布局U相下橋FWDU相下橋IGBTV相上橋IGBTV相下橋IGBTU相上橋IGBTW相下橋IGBTW相上橋IGBTU相上橋FWDV相下橋FWDV相上橋FWDW相下橋FWDW相上橋FWDU相下橋IGBTU相下橋FWDV相上橋IGBTV相下橋FWDU相上橋IGBTW相下橋FWDW相上橋IGBTU相上橋FWDV相下橋IGBTV相上橋FWDW相下橋IGBTW相上橋FWD圖2 模塊晶圓布局圖。l 引線布局美觀，不同電信號嚴(yán)禁交叉布線，嚴(yán)禁采用飛線方式布線。l 模塊內(nèi)部爬電距離及電氣間隙應(yīng)符合安規(guī)要求。注：受儀器限制，Ic 400A或Vces 3000V以上的模塊暫時(shí)無法測試晶體管特性。2℃）環(huán)境下，將待測的IGBT柵射極短路，接線方式為儀器HV端接IGBT集電極，COM端接發(fā)射極。階梯發(fā)生器設(shè)置的階梯源選擇為電壓，階梯發(fā)生器的階數(shù)設(shè)為0。點(diǎn)擊軟件的開始測試按鈕，將集電極電源掃描調(diào)節(jié)設(shè)為合適檔位，一般開始可設(shè)為額定VCES的1/10左右，緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。完成模塊高低溫沖擊測試后，在室溫（25℃177。測試過程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測試多管IGBT時(shí)，必須同時(shí)將每個(gè)管子的柵射極獨(dú)立短路。合上保護(hù)蓋才可以測試，避免接觸測試端子。l 要注意集電極電源的掃描電壓設(shè)置不可過大，（一般可設(shè)為VCES的1/10）。l 若需要保存曲線，將測量方法選擇的測量方式設(shè)單次模式再保存。l 測試所得VCES電壓≥額定VCES電壓。2℃）環(huán)境下，測試模塊接線方式為儀器HC端（主電流回路）及Hcsen端（電壓感測）接IGBT集電極、儀器COM端（主電流回路）及COMsen端（電壓感測）接IGBT發(fā)射極、儀器SGV端接IGBT柵極。階梯發(fā)生器設(shè)置的階梯源選擇為電壓，階梯發(fā)生器的階數(shù)設(shè)為3，階梯/偏移幅度設(shè)為5V。測量方法先設(shè)為單次方式，點(diǎn)擊軟件的開始測試按鈕，將集電極電源掃描調(diào)節(jié)設(shè)為合適檔位（一般可設(shè)為1），緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。讀取電流在IC額定值時(shí)候的電壓數(shù)據(jù)，此電壓即為實(shí)際VCE(sat)。2℃）環(huán)境下按照以上步驟重新測試，讀取電流在IC額定值時(shí)候的電壓數(shù)據(jù)，此電壓即為實(shí)際VCE(sat)。l 在增加集電極電壓過程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過IC額定值幾倍以上時(shí)），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護(hù)儀器和器件。l 測試100A以上時(shí)，測試設(shè)備使用4分鐘需要休息10分鐘以上。l 模塊老化測試前后室溫環(huán)境下測量的VCE(sat)電壓均小于模塊廠商規(guī)格中VCE (sat)的最大允許值方為合格。2℃）環(huán)境下，將待測的IGBT柵集電極短路，模塊測試接線方式為儀器HC端（主電流回路）及Hcsen端（電壓感測）接IGBT集電極、儀器COM端（主電流回路）及COMsen端（電壓感測）接IGBT發(fā)射極、儀器SGV端接IGBT柵極。階梯發(fā)生器設(shè)置的階梯源選擇為電壓，階梯發(fā)生器的階數(shù)設(shè)為0，階梯/偏移幅度設(shè)為2V。測量方法先設(shè)為單次方式，點(diǎn)擊軟件的開始測試按鈕，將集電極電源掃描調(diào)節(jié)設(shè)為合適檔位（一般可設(shè)為1），增加集電極電源的掃描電壓到10V左右。在曲線中找到IC的值為器件規(guī)格中的參考電流值的點(diǎn)，讀取此時(shí)的電壓值，即為閥值電壓。2℃）環(huán)境下按照以上步驟重新測試柵射極閥值電壓VGE(th)。l 在增加集電極電壓過程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過IC額定值幾倍以上時(shí)），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護(hù)儀器和器件。l 測試結(jié)束后必須及時(shí)退出軟件，注意退出前集電極電源必須先回零，退出軟件后才能關(guān)主機(jī)。 IGBT內(nèi)置二極管正向壓降VF測試室溫（25℃177。模塊測試接線方式為儀器HC端（主電流回路）及Hcsen端（電壓感測）接IGBT發(fā)射極、儀器COM端（主電流回路）及COMsen端（電壓感測）接IGBT集電極、儀器SGV端接IGBT柵極。階梯發(fā)生器設(shè)置的階數(shù)設(shè)為0，顯示設(shè)置中的水平檔設(shè)為VCE、500mV/格，垂直檔按需求設(shè)置。觀察電流，使電流達(dá)到1~2倍的IF額定值左右時(shí)（由于儀器的限制，電流最大不可超過400A），再把測量方法設(shè)為掃描方式，并設(shè)置合適的掃描步長。完成模塊高低溫沖擊測試后，在室溫（25℃177。測試過程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測試多管IGBT時(shí)，必須同時(shí)將每個(gè)管子的柵射極獨(dú)立短路。l 在增加集電極電壓過程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過IC額定值幾倍以上時(shí)），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護(hù)儀器和器件。l 測試100A以上時(shí)，使用4分鐘儀器要休息10分鐘以上。l 模塊老化測試前后室溫環(huán)境下測量VF電壓均小于模塊廠商規(guī)格的最大允許值方為合格。25℃85℃120℃℃4H4H12Ht在室溫（25℃177。測試電壓等級為廠商器件數(shù)據(jù)表給定的Vces/VRRM值。記錄測試過程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請參見附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。2℃）環(huán)境下Ices和IR測試后，將模塊放置于溫箱中設(shè)定溫度85℃、濕度85%，模塊在設(shè)置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時(shí)，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測試步驟進(jìn)行Ices和Ir測試。完成濕熱（溫度85℃、濕度85%）環(huán)境下Ices和IR測試后，將模塊放置于溫箱中設(shè)定溫度120℃，模塊在設(shè)置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時(shí)，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測試步驟進(jìn)行Ices和IR測試。完成高溫（溫度120℃）環(huán)境下Ices和IR測試后，將模塊放置于室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上測試步驟進(jìn)行Ices和IR測試。測試過程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測試所用電源誤差小于177。l 測試多管IGBT時(shí)，必須同時(shí)將每個(gè)管子的門極端子獨(dú)立短路。l 測試完成后必須使儀器復(fù)位；測試結(jié)束后須及時(shí)關(guān)閉儀器。Ices和Ir測試應(yīng)同時(shí)滿足以下要求方為合格：l 室溫環(huán)境下：測試電壓為額定Vces/VRRM時(shí)，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 高溫環(huán)境下：測試電壓為額定Vces/VRRM時(shí)，漏電流≤常溫Ices/IR的3倍。評判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，確認(rèn)模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。2℃）環(huán)境下測試，將IGBT模塊主端子和門極端子分別短接起來，在主端子的短接線和模塊基板之間施加測試電壓。安規(guī)耐壓測試等級請參見表二：表二：安規(guī)耐壓測試等級電壓表系統(tǒng)電壓等級耐壓測試電壓等級系統(tǒng)電壓等級耐壓測試電壓等級ACDCACDC2201500212066018002550380150021206901800255059018002550114035004800電壓等級可采用內(nèi)差法計(jì)算。電壓上升時(shí)間設(shè)定為10S，電壓持續(xù)時(shí)間為60S，電壓下降時(shí)間設(shè)定為10S，漏電流上限設(shè)定為5mA，漏電流下限設(shè)定為0mA。完成室溫（25℃177。記錄測試過程的最大漏電