微電子工藝課程總結-在線瀏覽
2025-03-07 18:23本頁面
【正文】 ? 第 2周期 B C N ? 第 3周期 Al Si P S ? 第 4周期 Zn Ga Ge As Se ? 第 5周期 Cd In Sn Sb Te ? 第 6周期 Hg Pb 二、對襯底材料的要求（了解） 167。 襯底制備 一、晶體定向（了解） 1．光圖像定向法（表 ） 2. X射線衍射法 二、晶面標識（熟悉） 1． 主參考面 （ 主定位面 ， 主標志面 ） ① 作為選定芯片圖形與晶體取向關系的參考； ② 作為硅片 （ 晶錠 ） 機械加工定位的參考面； ③ 作為硅片裝架的接觸位置 ， 可減少硅片損耗； （次定位面，次標志面） 識別晶向和導電類型 三、晶片加工（了解） ? 切片、磨片、拋光 第二章 摻雜技術（熟悉、掌握） ? 167。 方向上：高濃度向低濃度擴散。▽ N （掌握） ①間隙式擴散 ② 替位（代位）式擴散 （熟悉） D=D0 exp(Ea /kT) ? D0— 表 觀擴散系數(shù)， Ea— 激 活能； ? D是描述粒子擴散快慢的物理量，是微觀擴散的宏觀描述。 例如：預淀積，箱法擴散 余誤差分布 )Dt2 x(e r fcN)]Dt2 x(e r f1[N)t,x(N ss ???? 雜質(zhì)總量 ? 結深 )Dt2x(e r fcNdx)t,x(NQss0 0s ???? ? ?? ??)NN(e r fcDt2XsB1j?? /恒定雜質(zhì)總量擴散 (掌握 ) ? 定義（特點）：在擴散過程中，雜質(zhì)源限定于擴散前淀積在晶片表面極薄層內(nèi)的雜質(zhì)總量 Q， 沒有補充，也不會減少。 ? －－高斯分布 ? 結深
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