【正文】 中，改變了邊界層中的摻雜成分和濃度，從而導(dǎo)致了外延層中的實(shí)際分布偏離理想情況，這種現(xiàn)象稱為自摻雜效應(yīng)59低壓外延是為了減小自摻雜效應(yīng)發(fā)展起來的一種外延工藝。61光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。63可靠性包括兩個(gè)方面：產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造的固有可靠性問題。64可靠性的定義就是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和規(guī)定條件下，完成規(guī)定功能的能力或概率。3前烘：去除膠層內(nèi)的溶劑，從而降低灰塵的玷污,提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機(jī)械擦傷能力。5顯影：把曝光后在光刻膠層形成的潛在圖形，進(jìn)一步形成三維立體圖形。增強(qiáng)光刻膠對(duì)硅片表面的附著力。7刻蝕：在光刻膠的下方的材料上呈現(xiàn)出與光刻膠上相同的圖形。66光學(xué)光刻膠通常包含三種成分：聚合物材料，感光材料，溶劑。68頂層光刻膠經(jīng)過曝光和顯影后形成曝光圖形，并在后續(xù)的刻蝕工藝中作為刻蝕掩蔽層，光刻膠不再被氧等離子刻蝕，起到一個(gè)硬保護(hù)層作用底層光刻膠用來在襯底上形成平坦化的平面，需要通過干法刻蝕去掉。70駐波效應(yīng)：曝光光波在進(jìn)入到光刻膠層之后，如果沒有被完全吸收，就會(huì)有一部分光波穿過光刻膠膜達(dá)到襯底表面，這一部分光波在襯底表面被反射之后，又回到光刻膠中。這種效應(yīng)稱為領(lǐng)近效應(yīng)72選擇比：指兩種不同材料在腐蝕的過程中被腐蝕的速率比73干法刻蝕：利用等離子體激活的化學(xué)反應(yīng)或者是利用高能離子束轟擊完成去除物質(zhì)的方法、74干法刻蝕的分類：等離子體刻蝕，濺射刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕75屬化”，金屬跟金屬性材料在集中成電路中的應(yīng)用。Si在Al中擴(kuò)散系數(shù)比在晶體Al中大40倍，Al與二氧化硅反應(yīng)易生成Al2O373電遷移現(xiàn)象：是一種在大電流密度作用下的質(zhì)量輸運(yùn)現(xiàn)象。第二類，可以使銳利的臺(tái)階變?yōu)槠交瑫r(shí)臺(tái)階高度減小了，通過再淀積一層半平坦化的介質(zhì)層作為覆蓋層，第三類，使局域達(dá)到完全平坦化，第四類，使整個(gè)硅片表面平坦化77 Al/Si接觸中的尖楔現(xiàn)象Al某些接觸點(diǎn)，像尖釘一樣楔進(jìn)到Si襯底中去，從而PN結(jié)失效53多晶硅及硅化物具有源漏自對(duì)準(zhǔn)特性78后道工藝： 一、背面減薄和蒸金：去除晶圓片背面不必要的雜質(zhì)；太厚不宜于后道加工；未了減少串聯(lián)電阻，有利于散熱。三、裂片：劃片后把一個(gè)個(gè)芯片。五、鍵合：將半導(dǎo)體器件芯片上的電極引線與底座外引線連接起來的過程。七、老化：成品測(cè)試。2． 單晶硅生長(zhǎng)常用（CZ法）和（區(qū)熔法）兩種生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（硅錠）。4． 晶圓制備的九個(gè)工藝步驟分別是（ 單晶生長(zhǎng) ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蝕、（拋光 ）、清洗、檢查和包裝。6． CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅是把（融化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體）變?yōu)椋ㄓ姓_晶向）并且（被摻雜成p型或n型）的固體硅錠。影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是（拉伸速率）和（晶體旋轉(zhuǎn)速率）。9． 制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過程：1（制備工業(yè)硅 ）；2（生長(zhǎng)硅單晶）；3（提純）。11． 熱氧化工藝的基本設(shè)備有三種：（臥式爐）、（ 立式爐 ）和（ 快速熱處理爐 ）。13． 用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分：（ 工藝腔 ）、（ 硅片傳輸系統(tǒng) ）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（溫控系統(tǒng) ）。15． 列出熱氧化物在硅片制造的4種用途：（ 參雜阻擋 ）、（ 表面鈍化 ）、場(chǎng)氧化層和（ 金屬層間介質(zhì) ）。17． 硅片上的氧化物主要通過（ 熱生長(zhǎng) ）和（ 淀積 ）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（ 薄膜 ）。19． 立式爐的工藝腔或爐管是對(duì)硅片加熱的場(chǎng)所，它由垂直的（ 石英鐘罩 ）、（多區(qū)加熱電阻絲 ）和（ 加熱管套 ）組成。21． 淀積膜的過程有三個(gè)不同的階段。22． 縮略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是（等離子體增強(qiáng)減壓 CVD ）、（ 低壓CVD ）、高密度等離子體化學(xué)氣相淀積、和（ 常壓CVD ）。24． 如果淀積的膜在臺(tái)階上過度地變薄，就容易導(dǎo)致高的（ 膜應(yīng)力 ）、（ 電短路 ）或者在器件中產(chǎn)生不希望的（ 誘生電荷 ）。高的深寬比的典型值大于（ 3：1 ）。26． 化學(xué)氣相淀積是通過（ 氣體混合 ）的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層（固體膜 ）的工藝。27． 化學(xué)氣相淀積的基本方面包括：（ ）；（ ）；（ ）。29． HDPCVD工藝使用同步淀積和刻蝕作用，其表面反應(yīng)分為：（離子誘導(dǎo)淀積 ）、（ 濺射刻蝕 ）、（ 再次淀積 ）、熱中性CVD和反射。31． 氣體直流輝光放電分為四個(gè)區(qū)，分別是：無光放電區(qū)、湯生放電區(qū)、輝光放電區(qū)和電弧放電區(qū)。32． 濺射現(xiàn)象是在（ 輝光放電 ）中觀察到的，集成電路工藝中利用它主要用來（淀積合金 ），還可以用來（ 金屬化 ）。34． 在半導(dǎo)體制造業(yè)中，最早的互連金屬是（ AU ），在硅片制造業(yè)中最普通的互連金屬是（鋁銅合金 ），即將取代它的金屬材料是（ CU ）。36． 阻擋層金屬是一類具有（高熔點(diǎn) ）的難熔金屬，金屬鋁和銅的阻擋層金屬分別是（W ）和（W ）。38． 被用于傳統(tǒng)和雙大馬士革金屬化的不同金屬淀積系統(tǒng)是：（ 蒸發(fā) ）、（ 濺射 ）、（ 金屬CVD ）和銅電鍍。在濺射過程中，（核能離子 ）撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過程撞擊出原子。平坦化40． 縮略語PSG、BPSG、FSG的中文名稱分別是（ ）、（ ）和（ ）。42． 終點(diǎn)檢測(cè)是指（ ）的一種檢測(cè)到平坦化工藝把材料磨到一個(gè)正確厚度的能力。43． 硅片平坦化的四種類型分別是（ ）、部分平坦化、（ ）和（ ）。45． 傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（ ）、（ ）和（ ）。47． 磨料是精細(xì)研磨顆粒和化學(xué)品的混合物，在（ ）中用來磨掉硅片表面的特殊材料。48． 有兩種CPM機(jī)理可以解釋是如何進(jìn)行硅片表面平坦化的：一種是表面材料與磨料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成一層容易去除的表面層，屬于（ ）；另一種是（ ），屬于（ ）。光刻50． 現(xiàn)代光刻設(shè)備以光學(xué)光刻為基礎(chǔ)，基本包括：（紫外光源 ）、光學(xué)系統(tǒng)、（ 投影掩膜版 ）、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和（ 覆蓋光敏光刻膠的硅片 ）。52． 寫出下列光學(xué)光刻中光源波長(zhǎng)的名稱：436nmG線、405nm（ H線 ）、365nmI線、248nm（ 深紫外 ）、193nm深紫外、157nm（真空紫外（超紫外） ）。54． 有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域分別為（ 光刻區(qū) ）、（刻蝕區(qū) ）和（離子注入?yún)^(qū) ）。56． 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記主要有四種：一是（ 投影掩膜版對(duì)準(zhǔn)（RA）標(biāo)記 ），二是（ 整場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)（GA）標(biāo)記 ），三是精對(duì)準(zhǔn)，四是（ 光照亮對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 ）。58． 對(duì)于半導(dǎo)體微光刻技術(shù)，在硅片表面涂上（液體光刻膠 ）來得到一層均勻覆蓋層最常用的方法是旋轉(zhuǎn)涂膠，其有4個(gè)步驟：（ 分滴 ）、旋轉(zhuǎn)鋪開、旋轉(zhuǎn)甩掉和（溶劑揮發(fā) ）?？涛g60． 在半導(dǎo)體制造工藝中有兩種基本的刻蝕工藝：（桿法刻蝕 ）和（濕法刻蝕 ）。61． 干法刻蝕按材料分類，主要有三種：（ 等離子刻蝕）、（濺射刻蝕/離子xi ）和（ 反應(yīng)離子刻蝕 ）。63． 隨著銅布線中大馬士革工藝的引入，金屬化工藝變成刻蝕（ILD（層間介質(zhì)））以形成一個(gè)凹槽，然后淀積（ 銅 ）來覆蓋其上的圖形，再利用（ 化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)）把銅平坦化至ILD的高度。65． 刻蝕剖面指的是（ 被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀 ），有兩種基本的刻蝕剖面：（ 各向同性 ）刻蝕剖面和（ 各項(xiàng)異性 ）刻蝕剖面。67． 在刻蝕中用到大量的化學(xué)氣體，通常用氟刻蝕（ 二氧化硅 ）；用氯和氟刻蝕（ 多晶硅 ）；用氯、氟和溴刻蝕硅；用氧去除（ 光刻膠 ）。69． 鎢的反刻是制作（鎢塞 ）工藝中的步驟，具有兩步：第一步是（ 以高刻蝕速率刻蝕掉90%的鎢 ）；第二步是（ 降低速率，采用對(duì)TiN有較高選擇性的刻蝕劑去除剩余的鎢 ）。71． 集成電路制造中摻雜類工藝有（ 擴(kuò)散 ）和（離子注入 ）兩種，其中（離子注入 ）是最重要的摻雜方法。73． 擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，分為三種形態(tài)：（ 氣態(tài)源 ）擴(kuò)散、（固態(tài)源 ）擴(kuò)散和（液態(tài)源 ）擴(kuò)散。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（ 激活雜質(zhì)后 ），才有助于形成半導(dǎo)體硅。其發(fā)生有兩個(gè)必要條件：（一種材料的濃度必須高于另一種材料的濃度 ）和（ 系統(tǒng)內(nèi)必須有足夠的能量使高濃度的材料進(jìn)入或通過另一種材料 ）。在目前生產(chǎn)中，擴(kuò)散方式主要有兩種：恒定表面源擴(kuò)散和（ 有限表面源擴(kuò)散 ）。78． 熱擴(kuò)散利用（高溫）驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅的晶體結(jié)構(gòu)，這種方法受到（ 時(shí)間）和（ 溫度 ）的影響。其中pn結(jié)就是富含（ IIIA族雜質(zhì) ）的N型區(qū)域和富含（VA族雜質(zhì) ）的P型區(qū)域的分界處。81． 控制溝道效應(yīng)的方法：（傾斜硅片 ）；（掩蔽氧化層 ）；（硅預(yù)非晶化