集成電路版圖設(shè)計(jì)教程-在線瀏覽
2025-02-24 01:53本頁面
【正文】 成，采用合并公共區(qū)域的技巧，將 P管接電源的有源區(qū)公用， N管接地的有源區(qū)公用，器件的排列很緊湊，面積很小。 (5) 或與非門（ OAI) 電路圖 版圖 提示 ：對比 AOI和 OAI電路圖和版圖的區(qū)別和畫法，鞏固和熟練掌握 CMOS復(fù)聯(lián)電路版圖的畫法。 ② 版圖把 A、 B、 C多晶分成二段且排成二列， A線在上面 (靠近 Vdd)轉(zhuǎn)折連接， B線在下面 (靠近 Vss)轉(zhuǎn)折連接， C線二段不能直接連接，在 Vss附近用金屬連接。整個(gè)電路分為4行，第 2和第 3行組成進(jìn)位電路的前級，第 1行和第 4行組成求和電路的前級。 ⑤ 在版圖中間一條橫的金屬線阻擋了進(jìn)位部分串并聯(lián)電路的輸出從上至下進(jìn)行連接，用多晶從該金屬線下穿過將這段輸出金屬連接。兩個(gè)反相器共源，它們的交叉連接和襯底連接都用金屬 1，兩條位線也用金屬 1作為連線。門管的多晶柵和金屬 1連接，然后金屬 1經(jīng)過通孔連接到用字線。 (2) CMOS RAM陣列 CMOS SRAM 4 4陣列 特點(diǎn) ：存儲(chǔ)單元排成陣列時(shí)，列的方向只要求相鄰單元位線的間距符合設(shè)計(jì)規(guī)則；行的布局合并了公共區(qū)域，即 Vdd和 Vss共用。 版圖 特點(diǎn) ： 1）版圖為 4行結(jié)構(gòu)，中間兩行構(gòu)成反相器，多晶從第 2
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