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2024-12-15 16:11本頁面
【正文】 生相變。 (1). 均勻成核 －－組成一定，熔體均勻一相，在 T0溫度下析晶， 發(fā)生在整個(gè)熔體內(nèi)部，析出物質(zhì)組成與熔體一致。 T IV P D IV )e xp(RTGBP K???)e xp (RTGD m???DPIV .?分析 ： IV為何出現(xiàn)最大值？ (2). 非均勻成核 －－有外加界面參加的成核。 成核劑 (M) 固體核 液體 ? L?S?L?M?SM??)(.* ?fGG KK ???4)c os1)(c os2()( 2??? ???f潤濕 0～ 900 1～ 0 0～ 1/2 (0~1/2) KG?不潤濕 900~1800 0~(1) 1/2~1 (1/2~1) KG?? cos ? f(?) *KG?非均勻成核 臨界成核位壘 與接觸角 ?的關(guān)系。所以非均勻成核析晶KK GG ??? *.12. 潤濕的非均勻成核位壘低于非潤濕的，因而潤濕更易成核。 ：在氣泡的界面易析出含 Fe3+的微晶。 4. 結(jié)構(gòu)缺陷處成核并生長：如螺位錯(cuò)成核生長。 晶體穩(wěn)定位置 液體穩(wěn)定位置 G?q ??. 距離 能 量 質(zhì)點(diǎn)由 液相向固相 遷移的速率： )e x p (0 RTqnQ SL ??? ?質(zhì)點(diǎn)由 固相向液相 遷移的速率： )e x p (0 RT qGnQ LS ＋???? ?質(zhì)點(diǎn)由 液相向固相 遷移的 凈 速率： )]e x p (1)[e x p (n 0 RT GRT qQ ????? ?線性生長速率 ???nBRTqTTHG???????)/e x p(/00?)]e x p (1)[e x p (n 0 RT GRT qQu ?????? ???界面層的厚度 討論： a. 當(dāng) T ? T0， 即 ? T?0， ?GRT，則 20RTTHBu ??? ?。 線性生長速率 )]e x p(1[)]e x p(1.[0 RTGBRTTTHBu ????????? ??T?logu 出現(xiàn)峰值原因 ： 高溫階段主要由液相變成晶相的速率控制，增大 ?T 對(duì)此過程有利，故 u 增大。 2）實(shí)際晶體的螺位錯(cuò)生長機(jī)構(gòu) U∝ （ ΔT） 2 螺位錯(cuò)生長示意圖 針狀莫來石晶體的螺位錯(cuò)生長 實(shí)例 1 碳化硅晶體的螺位錯(cuò)生長 實(shí)例 2 總結(jié)晶速率 表示方法： 的關(guān)系式。 4331 tuIVVV?? ＝校正 ： (1) 阿弗拉米對(duì)相變動(dòng)力學(xué)方程作了適當(dāng)?shù)男Ｕ瑢?dǎo)出公式 ]31e xp [ 1 43 tuIVV V?? －＝在相變初期，轉(zhuǎn)化率較小時(shí)， 4331 tuIVVV?? ＝(2) 考慮時(shí)間對(duì)兩個(gè)速率的影響，導(dǎo)出的關(guān)系式為 )e xp (1 nktVV ??＝? n:阿弗拉米指數(shù) )e xp (1 nktVV ??＝?討論 ： (1) 當(dāng) IV隨 t 減少時(shí)， 3? n ? 4 (2) 當(dāng) IV隨 t 增大時(shí)， n 4 阿弗拉米方程的用途： 研究屬于擴(kuò)散控制的轉(zhuǎn)變 蜂窩狀轉(zhuǎn)變，如：多晶轉(zhuǎn)變 。 析晶過程 T?u IV u IV A B Iv u 圖 1 熔體的成核速度 (Iv) 與晶體生長速度 ( u ) 曲線 溫度Iv u 圖 2 對(duì)應(yīng)的燒成曲線時(shí)間溫度應(yīng)用舉例 Iv u 溫度 速度 b 成核與生 長溫度 時(shí)間 溫度 Iv u c 溫度 速度 d 成核溫度 生長溫度 時(shí)間 溫度 A B C 影響析晶能力的因素 (1) 熔體的組成 從相圖分析 結(jié)論 ：從降低熔制溫 度和防止析晶的角度出發(fā)，玻璃的 組分應(yīng)考慮 多組分 ，并且其組成應(yīng) 盡量選擇在 相界線 或共熔點(diǎn)附近 。 ?1）分相為釉熔體形成晶核提供推動(dòng)力 ? 例如：鐵紅釉 ?3）分相使其中的一相某物質(zhì)濃度更大 ?4）分相的界面為析晶提供有利部位 ?5）分相后其中的一相具有比均勻母相更大的原子遷移率 ?A：貧鐵區(qū) ?B：富鐵區(qū) ?C：貧鐵區(qū) ?D: 結(jié)晶晶體 2）分相使分解的液相比原始相更接近化學(xué)計(jì)量 (4) 外加劑 作用機(jī)理 ：在晶核表面引起不規(guī)則性 (相當(dāng)于晶核作 用 )增加界面處的流動(dòng)度 應(yīng)用：合成陶瓷顏料晶體時(shí)常 加入少量礦化劑 167。 (一 ) 自由焓組成曲線 二元系統(tǒng)可能存在的狀態(tài) L L+A B+L A+B A B a、液相 b、固相 (包括兩固相并存 ) c、連續(xù)固溶體 d、部分溶固溶體 e、液相和純固相共存 f、液相和固溶體共存 二元系統(tǒng)自由焓的計(jì)算 )X()()( B、固固 ABA XSBXAX ??由物化知識(shí)可得 EmIm GG ????討論 ：在一定溫度下 出現(xiàn)正偏差；表示體系相對(duì)理想狀態(tài)則若 ,0G ,1 Emi ????出現(xiàn)負(fù)偏差表示體系相對(duì)理想狀態(tài)若 ,0G 1 Emi ????)X()()( B、液液 ABA XLBXAX ??理想混合自由能 混合過剩自由能 )lnln()lnln()lnln(BBAABBAABBAAmXXRTXXXXRTXXRTG
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