光催化降解小分子有機污染物甲醛的研究-在線瀏覽
2025-07-16 15:10本頁面
【正文】 ? 當金屬氧化物是非化學計量，或引入雜質(zhì)離子或原子可產(chǎn)生 n型、 p型半導體。這些雜質(zhì)可引起半導體禁帶中出現(xiàn)雜質(zhì)能級。施主能的電子容易激發(fā)到導帶中產(chǎn)生自由電子導電。 ?如果出現(xiàn)的雜質(zhì)能級靠近滿帶上部稱為受主能級。很容易接受滿帶中的躍遷的電子使?jié)M帶產(chǎn)生正電空穴關(guān)進行空穴導電，這種半導體稱為 p型半導體。 ? B） 氧缺位 ? C） 高價離子取代晶格中的正離子 ? D） 引入電負性小的原子。 B） 用低價正電離子取代晶格中正離子。 半導體導電性影響因素 ? 溫度升高，提高施主能級位置，增加施主雜質(zhì)濃度可提高n型半導體的導電性。 ? 催化劑制備上措施：晶體缺陷，摻雜，通過雜質(zhì)能級來改善催化性能。另一方面在表面形成的負電層不利于電子進一步轉(zhuǎn)移，結(jié)果是氧在表面吸附是有限的。 B)對于施電子氣體吸附（以 H2為例） ? 對于 H2來說，不論在 n型還是 p型氧化物上以正離子 (H+)吸附于表面，在表面形成正電荷，起施主作用。如 NiO其中 Ni2+缺位，以各缺位相當于兩個單位的正電荷 “ 2+”，由于晶體保持電中性，必然引起缺位附近兩個 Ni2+離子價態(tài)的變化，即2Ni2++“2+”→2Ni 3+，這里 Ni3+=Ni2+， Ni2+可以接受電子稱為受主原子，當溫度升高時空穴可以成為自由空穴。 P半導體的 EF能級應(yīng)處于滿帶項處 EV和受主能級 EA之間的中間位置。但對于的半導體情況的 EF位置會發(fā)生變化。反映地不是電子的一格允許能級但同樣代表著半導體中電子表的平均能量，物力意義是一致的電子在該能級出現(xiàn)的幾率為 ?F(Ej)=1/2 ?? F導 帶禁 帶滿 帶N型半導體摻雜 摻雜的兩種方式 ?施主型摻雜 ?提高供電子的物質(zhì)濃度。導電率升高。如在 ZnO中添加 Li+會使Zn+濃度下降，造成 ZnO逸出功升高和導電率降低。這是導致 EF能級的升高，使得逸出功變小和導電率下降。 ?用逸出功來判斷 ?如果引入某種雜質(zhì)后，半導體的逸出功變小，那么這種雜質(zhì)是施主型的，相反則為受主型雜質(zhì)。 ?對于 P型，凡是使導電率下降的物質(zhì)為施主型雜質(zhì)，相反則為受主型雜質(zhì)。 ?B)氧缺位。 ?D)引入電負性小的原子。 ?B)用低價正電粒子取代晶格中的正離子。 L BL A?? a ?? 吸 附 為 r d s? ??? ??L BL A?? b ?? 吸 附 為 r d s? ??? ??L BL A?? c ? 最 佳? ??? ??半導體氧化物催化機理 A + B CA B施 主 鍵受 主 鍵ee舉例： CO在 NiO上氧化反應(yīng) ? CO+1/2O2=CO2 △ H=272KJ/mol （ 1） O2在 NiO上發(fā)生吸附時，電導率由 1011歐姆 1厘米 1上升為 107歐姆 1厘米 1 。 這表明 CO與 NiO吸附不是一般的化學吸附而是化學反應(yīng)。 ?費米能級的高低
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