光催化降解小分子有機污染物甲醛的研究-wenkub.com
2025-05-09 15:10 本頁面
【正文】 因此大部分復合氧化物相比較都是難還原的。 巖鹽氧化物 d電子定域能級圖 氧化還原型過渡金屬氧化物的配位現(xiàn)象 過渡金屬氧化物穩(wěn)定化能 （ 1）異丙苯液相多相氧化 （ 2）乙苯液相氧化 穩(wěn)定化能（活化能）對催化的影響 由正八面體 → 正方錐體 SN1的△ E值見上表，吸附對弱場中電子構型為 d3，d8有利。 這樣多相反應過程的吸附過程可以引起（穩(wěn)定化能）CFSE的變化。即 d電子從未分裂的 d軌道進入分裂后的 d軌道后產(chǎn)生的總能量下降值。若 p低于△則形成低自旋，反之形成高自旋。用 P表示。 ?形成了 O2 、 O親電反應物，攻擊電子密度最高處的另了一個反應物。 ?O2形成在第二類過渡金屬氧化物（ N型）上，這類氧化物具有較少的電子給體中心。 ?如果在催化劑上 CO吸附變成正離子是控制步驟， CO起表面施主的作用 CO把電子給了 P型半導體 NiO減少空穴不利于接受 CO電子如果加入 Li+會增加空穴數(shù)使導電率長高，用利于表面吸附這一控制步驟的進行。但催化活性比金屬要差。表面物種較為活潑，不會發(fā)生深度氧化。 這表明 CO與 NiO吸附不是一般的化學吸附而是化學反應。 ?B)用低價正電粒子取代晶格中的正離子。 ?B)氧缺位。 ?用逸出功來判斷 ?如果引入某種雜質后，半導體的逸出功變小，那么這種雜質是施主型的，相反則為受主型雜質。如在 ZnO中添加 Li+會使Zn+濃度下降，造成 ZnO逸出功升高和導電率降低。反映地不是電子的一格允許能級但同樣代表著半導體中電子表的平均能量，物力意義是一致的電子在該能級出現(xiàn)的幾率為 ?F(Ej)=1/2 ?? F導 帶禁 帶滿 帶N型半導體摻雜 摻雜的兩種方式 ?施主型摻雜 ?提高供電子的物質濃度。 P半導體的 EF能級應處于滿帶項處 EV和受主能級 EA之間的中間位置。 B)對于施電子氣體吸附（以 H2為例） ? 對于 H2來說，不論在 n型還是 p型氧化物上以正離子 (H+)吸附于表面，在表面形成正電荷，起施主作用。 ? 催化劑制備上措施：晶體缺陷，摻雜，通過雜質能級來改善催化性能。 B） 用低價正電離子取代晶格中正離子。很容易接受滿帶中的躍遷的電子使?jié)M帶產(chǎn)生正電空穴關進行空穴導電，這種半導體稱為 p型半導體。施主能的電子容易激發(fā)到導帶中產(chǎn)生自由電子導電。 導 體E（ a ）絕 緣 體E（ b ）5 e V ~ 1 0 e V本 征 半 導 體E（ c ）0 . 2 e V ~ 0 . 3 e VN 型 半 導 體E （ d ）施 主 能 線P 型 半 導 體E （ e ）受 主 能 線E fE fE f本征半導體、 n型半導體、 P型半導體 N型半導體和 p型半導體的形成 ? 當金屬氧化物是非化學計量，或引入雜質離子或原子可產(chǎn)生 n型、 p型半導體。 ? 導帶：凡是能帶沒有完全被電子充滿的。 ? 空帶：根本沒有填充電子的能帶。
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