光催化課件：第三章納米氧化鈦光催化原理-在線瀏覽
2025-07-16 15:09本頁面
【正文】 SO NO、 NH3等 有機分子：如甲烷、甲醇、苯酚、氯代烴等。而結構近乎完美的 TiO2表面，不能吸附 SO NH3分子。 氧化鈦的能帶結構 半導體粒子具有能帶結構，一般由填滿電子的低能價帶（ Valence band， VB）和空的高能導帶（ Conduction band， CB）構成，價帶和導帶之間存在禁帶。氧化鈦是寬禁帶半導體。 半導體的吸光閾值 ?g與禁帶寬度 Eg有密切關系： ?g（ nm）＝ 1240/Eg(eV) 多數(shù)半導體的吸收波長閾值都在紫外區(qū)，不吸收可見光，因此它們多數(shù)是透明的。 吸收閾值越小，半導體禁帶寬度越大，則產(chǎn)生的光生電子和空穴的氧化還原電勢越高。 導帶 價帶 化合物半導體的光催化原理 與金屬不同 ， 半導體粒子的能帶間缺少連續(xù)區(qū)域 ， 光生電子－空穴對有皮秒級壽命 ， 足以使光生電子－空穴對經(jīng)由禁帶 ， 向來自溶液或氣相的吸附在半導體表面的物種轉移電荷 。 強作用 弱作用 X1－由強束縛態(tài)來代表的總表面態(tài)的份數(shù)； X2－由弱束縛態(tài)來代表的總表面態(tài)的份數(shù)； K1－表觀表面鍵常數(shù) K2－表觀表面鍵常數(shù) CHCl3與兩個不同的組態(tài)連接。當 [CHCl3]? 1mmol時，只有強束縛態(tài)（即 K1）主宰著吸附；當 [CHCl3] ?1mmol時，反應率是由弱束縛態(tài)的活性能（即 K2作用）作用。 在表面成鍵位置 2， TiO2與 O的作用弱，因而 O與一個 H原子成鍵后，就帶有少量負電荷。但反應速度并不一定因為催化劑超微化而增大。 光激發(fā)位置趨近表面： 半導體粒徑變小，光激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴對能很快到達催化劑表面。 電荷分離的空間變小： 半導體催化劑內部會產(chǎn)生空間電荷層，這種電勢梯度避免了光激發(fā)的
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1