微電子學(xué)概論ch4集成電路制造工藝雙極集成電路工藝-在線瀏覽
2025-07-16 02:13本頁面
【正文】 形成基區(qū) ? 光刻 3版 (基區(qū)版 )，利用光刻膠將集電區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū) ? 基區(qū)離子注入硼，形成 P型基區(qū)（輕摻雜） 下一頁 上一頁 ? P＋型基區(qū)注入（形成基區(qū)接觸）： ? 光刻 5版 (基區(qū)接觸孔版 )，利用光刻膠將發(fā)射極和收集極接觸孔保護(hù)起來，暴露出基極接觸孔 ? 進(jìn)行大劑量的硼離子注入，形成基區(qū)接觸。 硼 下一頁 上一頁 ? 形成發(fā)射區(qū)和收集區(qū)接觸 ? 光刻 6版 (發(fā)射區(qū)版 )，利用光刻膠將基極接觸孔保護(hù)起來，暴露出發(fā)射極和集電極接觸
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