太陽能電池基本參數(shù)的影響因素分析-在線瀏覽
2025-07-15 10:50本頁面
【正文】 s[exp(qV/kT)1] （ 1） IL IL—— 光生電流； Is—— 暗電流； Rs—— 串聯(lián)電阻； Rsh—— 并聯(lián)電阻； Isc ?當(dāng) V=0時， Isc=IL。 IL為光生電流，正比于光伏電池的面積和入射光的輻照度。環(huán)境溫度的升高， IL值也會略有上升，一般來講溫度每升高 1℃ ， IL值上升 78μA。所以根據(jù)式 (1)，就會得到左圖。 Voc ? 開路時，當(dāng) I=0時， Voc=kT/qln(IL/IS+1) 太陽能電池的光伏電壓與入射光輻照度的對數(shù)成 正比，與環(huán)境溫度成反比，與電池面積的大小無關(guān)。該值一般用 高內(nèi)阻的直流毫伏計測量。而對太陽能電池而言，暗 電流不僅僅包括反向飽和電流，還包括薄層漏電流和體 漏電流。 FF ?FF=VmIm/VocIsc FF是一個重要參數(shù)，反映太陽能電池的質(zhì)量。反映到太陽電池的電流 電壓特性曲線上是曲線接近正方形，此時太陽電池可以實(shí)現(xiàn)很高的轉(zhuǎn)換效率。 因此，影響 η 的主要因素為串聯(lián)電阻和 并聯(lián)電阻。 二、串聯(lián)電阻 Rs和并聯(lián)電阻 Rsh ? 串聯(lián)電阻 Rs 一般小于 1Ω， 主要包括金屬電極與半導(dǎo)體材料的 接觸電阻、半導(dǎo)體材料的體電阻和電極電阻三部分。而且并聯(lián)電阻越大，漏電流也就越小。 ? Buffer層： 當(dāng)緩沖層厚度較薄時，晶格失配問題得到初步改 善，從而減少了載流子在界面的復(fù)合，因而隨著沉積
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