太陽能電池基本參數(shù)的影響因素分析(更新版)
【正文】 三、前段工藝對 Rs和 Rsh的影響 ?CVD ?PVD ?Laser ?P層： P層如果太厚，造成了 P層對光的吸收增 加，從而減少了 i層對光的吸收，而且由于空穴 的擴散速率較低，使得空穴的壽命降低；但是 P層太薄，在界面層產(chǎn)生的電子 空穴對還沒有 擴散出去就會由于復(fù)合而消失，不利于載流子 的收集，增加能量損失。太陽電池的串聯(lián)電阻越小，并聯(lián)電阻越大，填充系數(shù)越大。 但在實際過程中，就要將串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻考慮進去， Isc的方程如下： sh)(1 R IRVeIIIIII SkTIRVqSLPDLSCS ???????? ??????? 當負載被短路時， V=0，并且此時流經(jīng) 二極管的暗電流非常小，可以忽略，上式 可變?yōu)椋? ? ?shSLSCshSSCLSC RRIIRRIII /1 ????? 由此可知，短路電流總小于光生電流 IL,且 Isc的大小也與 Rs和 Rsh有關(guān)。 IL為光生電流，正比于光伏電池的面積和入射光的輻照度。該值一般用 高內(nèi)阻的直流毫伏計測量。 因此，影響 η 的主要因素為串聯(lián)電阻和 并聯(lián)電阻。 在其他條件不變的情況下，沉積 時間越長，膜的厚度越大。 ?同時，在 n層和金屬 Ag之間加入 ZnO，會阻止Ag向 n層擴散，阻止 Ag的漏電，增加電池的并聯(lián)電阻，從而增加電池效率。
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