太陽能電池基本參數(shù)的影響因素分析(完整版)
【正文】 因串聯(lián)的 Rs 很小、并聯(lián)電阻的 Rsh很大，所以進(jìn)行理想電路計算時，他們都可忽略不計。 ? 漏電流：太陽能電池片可以分 3層，即薄層（即 N區(qū)），耗盡層（即 PN結(jié)），體區(qū)（即 P區(qū)），對電池片而言，始終是有一些有害的雜質(zhì)和缺陷的，有些是材料本身就有的，也有的是工藝中形成的，這些有害的雜質(zhì)和缺陷可以起到復(fù)合中心的作用，可以虜獲空穴和電子，使它們復(fù)合，復(fù)合的過程始終伴隨著載流子的定向移動，必然會有微小的電流產(chǎn)生，這些電流對測試所得的暗電流的值是有貢獻(xiàn)的，由薄層貢獻(xiàn)的部分稱之為薄層漏電流，由體區(qū)貢獻(xiàn)的部分稱之為體漏電流。 ? 并聯(lián)電阻 Rsh 一般為幾千 歐姆， 主要是電池邊緣漏電、電池表 面污濁或耗盡區(qū)內(nèi)的復(fù)合電流引起的，這幾種電流構(gòu) 成了漏電流。 ?主要考量的是薄層電阻，即方塊電阻，它是太陽能電池串聯(lián)電阻的一個組成部分?？墒窃黾幽ず窬蜁黾映杀?，并且當(dāng)膜厚增大到一定值后，它的電阻就不會降低的很多，這一點(diǎn)由 Ag材料本身的性能決定。 ?劃線深度 ? P1：如果太淺，就代表有 TCO殘留在 glass 上，電流就會直接從 TCO薄膜流過，將 電池短路，這樣就將少了串聯(lián)電池的個 數(shù)，從而減少電池效率；如果太深，理 論上無影響。 ZnO ?為了減少接觸電阻，背電極與 n層之間必須形成良好的歐姆接觸，盡量減少對載流子的阻擋作用，這就要求 ZnO的電阻要盡可能地小。
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