【正文】 可切薄到 ，且切割的損傷小。 無(wú)須切片 成本下降 30% Ramp。硅片加工能力嚴(yán)重不配套。 ? 二期投資完成后 ,硅片的年生產(chǎn)能力將達(dá)到 70MW，將新增 DSS多晶硅鑄錠機(jī) 20臺(tái) ,破錠機(jī) 3臺(tái) ,多線切割機(jī) 5臺(tái)。年產(chǎn)量為多晶硅片500萬(wàn)片 ,第二期 1000萬(wàn)片，第三期 2500萬(wàn)片 （新疆新能源公司 20MW硅片項(xiàng)目，資金籌措中） 非晶硅太陽(yáng)電池 非晶硅太陽(yáng)電池又稱“無(wú)定形硅太陽(yáng)電池”，簡(jiǎn)稱“ a—Si太陽(yáng)電池 。作為一種弱光微型電源使用，如小型計(jì)算器、電子手表等。tzel型光電化學(xué)太陽(yáng)能電池）主要包括 鍍有透明導(dǎo)電膜的玻璃基底 ， 染料敏化的半導(dǎo)體材料 、 對(duì)電極 以及電解質(zhì) 等幾部分。tzel M, Acc. Chem. Res., 2022, 33, 269277. Wavelength [nm] Black dye NazeeruddinM K and Gratzel M, ., 1993, 115, 6382. Hagfeldt A and Gr228。 ? 溶劑 易揮發(fā) ,與敏化染料作用導(dǎo)致染料降解 。 第三步：制作反電極 電池既需要光陽(yáng)極 ， 又要一個(gè)對(duì)電極才能工作 。 樣 機(jī) 我國(guó)染料敏化太陽(yáng)電池的研究歷史 ? 我國(guó)科研研究小組在九十年代中后期開(kāi)始跟蹤研究該項(xiàng)技術(shù) ，中科院和北大等高校率先在該項(xiàng)研究上取得較好的成績(jī) 。 高分子光電轉(zhuǎn)換材料 基團(tuán)修飾： PPV MEHPPV Ca/MEHPPV/ITO Voc = Jsc ＝ 6μAcm－ 2 高分子光電轉(zhuǎn)換材料 ? MEHPPV與另一個(gè) PPV的衍生物 CNPPV配合使用，組成 DA網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的光電池 Acceptor —— Donor 高分子光電轉(zhuǎn)換材料 ITO/MEHPPV:CNPPV/Al Voc＝ η ＝ 6％ 我國(guó)太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)產(chǎn)業(yè)化及市場(chǎng)發(fā)展經(jīng)過(guò)近 20年的努力，已經(jīng)奠定良好的基礎(chǔ)。 ? 2022年 10月 ， “ 低價(jià) 、 長(zhǎng)壽新型光伏電池的基礎(chǔ)研究 ” 項(xiàng)目列入國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究規(guī)劃項(xiàng)目 （ 973計(jì)劃 ） ， 中科院等離子體物理研究所和南開(kāi)大學(xué)為項(xiàng)目承擔(dān)單位 ， 王孔嘉研究員和耿新華教授為項(xiàng)目首席科學(xué)家 ， 化學(xué)所 、 理化所 、 中科院研究生院 、 北工大等七個(gè)單位為項(xiàng)目參加單位 ， 染料敏化納米薄膜太陽(yáng)電池作為項(xiàng)目研究的主要方向之一 。 把非導(dǎo)電面標(biāo)上‘ +’， 然后用鉛筆在導(dǎo)電面上均勻地涂上一層石墨 。 ? 載流子遷移速率很慢 ,在高強(qiáng)度光照時(shí)不穩(wěn)定 。tzel M, Chim. Acta., 1990, 73, 778. X = H, CH3, Ph, COOH, C6H4SO3 NNNNNNNNR RRRMNN NNMR RRR卟啉系列 和酞菁系列 A. Kay and M. Gratzel, et al J. Phys. Chem., 1993, 97, 6272. . Ressler and . Panday, Chemtech., 1998, 3, 39. R = SO3, OC5H11。tzel M. 以較低的成本得到了 7%的光電轉(zhuǎn)化效率。應(yīng)用范圍小到手表、計(jì)算器電源大到 10Mw級(jí)的獨(dú)立電站。非晶硅太陽(yáng)電池的最大特點(diǎn)是薄，不同于單晶硅或多晶硅太極電池需要以硅片為底村，而是在玻璃或不銹鋼帶等材料的表面鍍上一層薄薄的硅膜，其厚度只有單晶硅片的 1/300。 ? 有擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模至 20MW 的計(jì)劃。 2 產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈仍存在嚴(yán)重脫節(jié)。m 太陽(yáng)能電池的分類 晶體硅太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì) mcSi 比例總體上升趨勢(shì)，但 04年有所下降，從 03年的 %下降至 56%； scSi 比例 止住了下降趨勢(shì)，由 03年 的 %上升至 %。厚度規(guī)格品種的多少，直接關(guān)系到線切割機(jī)排線導(dǎo)輪備件的多少。 太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖 轉(zhuǎn)換效率（ h)＝ 入射在電池表面的陽(yáng)光的功率 負(fù)載中消耗的功率 太陽(yáng)能電池材料 主要材料 半導(dǎo)體 表面涂層 電極 封裝 單晶硅、多晶硅非晶硅、 GaAs有機(jī)半導(dǎo)體 金屬氧化物 、 導(dǎo)電聚合物 金屬導(dǎo)體 玻璃 、 有機(jī)玻璃 對(duì)材料的基本要求 ① 能充分利用太陽(yáng)能輻射 ， 即半導(dǎo)體的禁帶不能太寬； ② 有較高的光電轉(zhuǎn)換效率； ③ 材料本身對(duì)環(huán)境不造成污染； ④ 材料便于工業(yè)化生產(chǎn) ， 材料的性能穩(wěn)定且經(jīng)濟(jì) 名稱 禁帶寬度 ( e V ) 轉(zhuǎn)換效率 應(yīng)用實(shí)況 單晶硅 1 . 1 2 24 .4 用于空間及地面太陽(yáng)電池 多晶硅 1 . 1 2 18 與單晶硅占市場(chǎng) 7 0 ~ 8 0 % 非晶硅 1 . 5 ~ 2 . 0 13 占市場(chǎng) 1 0 ~ 2 0 % 消費(fèi)電子 , 能源 復(fù)合 型 1 7 . 3 已 商業(yè) 化 C d T e 1 . 4 4 15 與 C d S 結(jié)合構(gòu)成的太陽(yáng)電池已商業(yè)化 C u I n S e 2 1 . 0 4 17 探索大面積應(yīng)用批量生產(chǎn)技術(shù) G a A s 1 . 4 2 3 7 . 4 已開(kāi)始用于空間太陽(yáng)電池 I n P 1 . 3 5 1 9 . 1 耐輻射性能優(yōu)異 , 處于研究開(kāi)發(fā)階段 無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池的性能及應(yīng)用 硅材料 工業(yè)硅 （ 又稱：結(jié)晶硅或金屬硅 ） 半導(dǎo)體用硅材料 含硅化合物 （ SiHCl3, SiH4） 太陽(yáng)能用硅材料 半導(dǎo)體用多晶硅 太陽(yáng)能用多晶硅 （ 又稱：