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cigs薄膜太陽能電池-在線瀏覽

2025-07-17 22:38本頁面
  

【正文】 陽 能電池發(fā) 展的歷程 太陽能電池的分類 按 制 備 材 料 的 不 同 硅基太陽能電池 多元化合物薄膜 太陽能電池 有機聚合物太陽 能電池 納米晶太陽能電池 主要 :GaAs CdS CIGS 目前 ,CIGS的晶體結(jié)構(gòu) CuInSe2黃銅礦晶格結(jié)構(gòu) CuInSe2復(fù)式晶格 :a=,c= 直接帶隙半導(dǎo)體,其光吸收系數(shù)高達 105量級 禁帶寬度在室溫時是 ,電子遷移率和空穴遷移率分(cm2/Vs) 通過摻入適量的 Ga以替代部分 In,形成 CulnSe2和 CuGaSe2的固熔晶體 Ga的摻入會改變晶體的晶格常數(shù),改變了原子之間的作用力 ,最終實現(xiàn)了材料禁帶寬度的改變,在 ,以達到最高的轉(zhuǎn)化效率 自室溫至 810℃ 保持穩(wěn)定相 ,使制膜工藝簡單 , 可操作性強 . CIGS的電學(xué)性質(zhì)及主要缺陷 富 Cu薄膜始終是 p型,而富 In薄膜則既可能 為 p型,也可能為 n型。相反, p型材料在較 低 Se蒸氣壓下退火則變?yōu)?n型 CIS中存在上述的本征缺陷, 影響薄膜的電學(xué)性質(zhì) .Ga的摻入影響很小 . CIGS的光學(xué)性質(zhì)及帶隙 ? CIS材料是直接帶隙材料, Cu(In,Ga,Al)Se2,其帶隙在,覆蓋了可見太陽光譜 ? In/Ga比的調(diào)整可使 CIGS材料的帶隙范圍覆蓋 , CIGS其帶隙值隨 Ga含量 x變化滿足下列公式其中, b值的大小為 ? CIGS的性能不是 Ga越多性能越好的,因為短路電流是隨著 Ga的增加對長波的吸收減小
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