20xx高三物理二輪復(fù)習(xí)測試_高考模擬訓(xùn)練-在線瀏覽
2024-10-25 21:21本頁面
【正文】 P點(diǎn)，試通過計(jì)算判斷 P位置比圓心 O高還是低． 解析： (1)物體在最高點(diǎn) C時(shí)只受重力，由牛頓第二定律得 mg＝ mvC2R ， vC＝ gR，物體從 B到 C的過程中，由機(jī)械能守恒定律得 mg(ssin θ － R－ Rcos θ )＝ 12mvC2 代入數(shù)據(jù)解得 R＝ m. 用心 愛心 專心 6 (2)設(shè)物體一直平拋至與 O點(diǎn)等高處，則由平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律得 R＝ 12gt2， x＝ vCt，聯(lián)立解得x＝ 2R 又由題圖可知 O點(diǎn)到斜面的水平距離為 x′ ＝ Rsin θ ＝ 53R 顯然 x′ ＞ x，故物體的落點(diǎn)位置 P低于 O點(diǎn)． 答案： (1) m (2)低 12．如圖所示，虛線 PQ右側(cè)有垂直于紙面向外的范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，虛線 PQ左側(cè)是無場空間． MN是與 PQ 平行的擋板，其中心有一個(gè)小孔 O. (1)若電子 (質(zhì)量為 m，電荷量大小為 e)以垂直于 MN的初速度 v0從小孔 O向右射入，求電子在虛線 PQ上的射入點(diǎn)和射出點(diǎn)之間的距離 d； (2)若在 MN與 PQ之間加一個(gè)與 PQ方向平行的勻強(qiáng)電場，然后讓電子仍以垂直于 MN的初速度 v0從小孔 O向右射入，通過該勻強(qiáng)電場后再進(jìn)入勻強(qiáng)磁場，試討論電子在虛線 PQ上的射入點(diǎn)和射出點(diǎn)之間的距離 d將如何變化？ 解析： (1)Bev0＝ mv02r 得 r＝ mv0Be 所以 d＝ 2r＝ 2mv0Be . (2)如果所加電場方向向下，如圖 (a)，則 v＝ v0cos θ 用心 愛心 專心 7 Bev＝ mv2r 解得 d＝ 2rcos θ ＝ 2mv0Be 如果所加電場方向向上，如圖 (b)， 同理可得 d＝ 2mv0Be 因此，無論電場方向如何，皆有 d＝ 2mv0Be . 答案： (1)2mv0Be (2)不變，仍為 2mv0Be 選考部分 13． (3－ 3模塊 )(1)以下說法正確的是 ________． A．分子的熱運(yùn)動(dòng) 是指物體內(nèi)部分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng) B．碎玻璃不能拼在一起，是由于分子間存在著斥力 C．物體做加速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度越來越大，物體內(nèi)分子的平均動(dòng)能也越來越大 D．液晶既有液體的流動(dòng)性，又具有光學(xué)各向異性 (2)在如圖所示的坐標(biāo)系中，一定質(zhì)量的某種理想氣體先后發(fā)生以下兩種狀態(tài)變化過程：第一種變化是從狀態(tài) A到狀態(tài) B，外界對該氣體做功為 6 J；第二種變化是從狀態(tài) A到狀態(tài) C，該氣體從外界吸收的熱量為 9 J．圖線 AC的反向延長線通過坐標(biāo)原點(diǎn) O， B、 C 兩狀態(tài)的溫度相同，理想氣體的分子勢能為零．求： ① 從狀態(tài) A到狀態(tài) C的過程，該氣體對外界做的功 W1和其內(nèi)能的增量 Δ U1； 用心 愛心 專心 8 ② 從狀態(tài) A到狀態(tài) B的過程，該氣體內(nèi)能的增量 Δ U2及其從外界吸收的熱量 Q2. 解析： (1)碎玻璃不能拼在一起是因?yàn)榉肿娱g的距離不能達(dá)到分子引力的范圍；物體內(nèi)分子的平均動(dòng)能僅由溫度決定，與物體運(yùn)動(dòng)的快慢無關(guān)；液晶既有液體的流動(dòng) 性，又具有光學(xué)各向異性． (2)① 從狀態(tài) A到狀態(tài) C的過程，氣體發(fā)生等容變化，該氣體對外界做的功 W1＝ 0 根據(jù)熱力學(xué)第一定律有 Δ U1＝ W1＋ Q1 內(nèi)能的增量 Δ U1
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