濕刻工藝培訓(xùn)ppt課件-展示頁(yè)
2024-11-20 00:22本頁(yè)面
【正文】 料的冶煉、提純、切片,電池片,主要內(nèi)容,一：刻蝕的目的 二：刻蝕的原理 三：RENA刻蝕機(jī)結(jié)構(gòu) 四: 合格品標(biāo)準(zhǔn)及操作規(guī)范 五：化學(xué)品安全與急救措施,一：刻蝕的目的,刻蝕的目的：去除硅片邊緣（或邊緣加背面）的擴(kuò)散層，防止電池正面和背面短路。,硅片, ,+,+ + + + + + + + +,刻蝕前,刻蝕后,硅片, ,+ + + + + + + + +,第一步，硅被硝酸氧化 1，慢反應(yīng) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O 2，快反應(yīng) 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O 4HNO3+NO+H2O=6HNO2,第二步：二氧化硅被氫氟酸溶解 SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 總反應(yīng) SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O,三：RENA刻蝕機(jī)結(jié)構(gòu),“一化一水”，硅片每經(jīng)過(guò)一次化學(xué)品，都會(huì)經(jīng)過(guò)一次水噴淋清洗。 除刻蝕槽外，其它化學(xué)槽和水槽都是噴淋結(jié)構(gòu)，去PSG氫氟酸槽是噴淋結(jié)構(gòu)，而且片子進(jìn)入到溶液內(nèi)部。相應(yīng)的，最后的吹干風(fēng)刀氣壓最大。堿槽 溫度是由外圍提供的 coolingwater直接冷卻的。 要點(diǎn)： 1. 生產(chǎn)過(guò)程中下料臺(tái)帶速≥刻蝕槽帶速≥上料臺(tái)帶速； 2. 不生產(chǎn)時(shí)打回手動(dòng)狀態(tài)，堿槽打起循環(huán)，所有滾輪開(kāi)啟狀態(tài)，帶速調(diào)整為0.50.6m/s即可。大片的碎片沉底，也需要及時(shí)清理和關(guān)注，否則沉底的碎片會(huì)因?yàn)榉磻?yīng)而重新浮起至液面，造成賭片、疊片； 刻蝕槽疊片：第一時(shí)間停止上料臺(tái)
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