《濕刻工藝培訓》ppt課件-全文預覽
【正文】 性。 2.環(huán)境危害：對環(huán)境有危害，對水體和土壤可造成污染。 危害性: 1.健康危害：其蒸氣有刺激作用，引起眼和上呼吸道刺激癥狀，如流淚、咽喉刺激感、嗆咳，并伴有頭痛、頭暈、胸悶等。 所以，在RENA過程中接觸到不明液體，請及時用水沖洗，以免造成不必要的安全事故。 此外，為應付意外事故,確保配備緊急沖洗設備對受侵蝕身體部位進行沖洗；沖洗時間必須超過15分鐘，后就醫(yī)。,操作過程中的注意事項,生產(chǎn)過程中禁止往刻蝕槽中添加任何物質(zhì)。,刻蝕槽、堿槽溫度的控制,3.1合格品標準 a.刻蝕深度：0.81.2um b.邊緣電阻：千歐級 c.外觀無發(fā)黃，邊緣發(fā)黑等 d.沾液良好、無明顯爬液（3mm）,通過過檢測量,通過生產(chǎn)、工藝人員觀察,四.合格品標準及操作規(guī)范,操作規(guī)范,要求： 嚴格遵循生產(chǎn)作業(yè)指導書生產(chǎn)，未經(jīng)工藝允許不得私自更改任何工藝參數(shù)。 最后一道水噴淋（第三道水噴淋）由于要將所有化學品全部洗掉，所以水壓最大。刻蝕培訓,硅PN結太陽電池基本結構,晶體硅太陽電池生產(chǎn)流程,硅料的冶煉、提純、切片,電池片,主要內(nèi)容,一：刻蝕的目的 二：刻蝕的原理 三：RENA刻蝕機結構 四: 合格品標準及操作規(guī)范 五：化學品安全與急救措施,一：刻蝕的目的,刻蝕的目的：去除硅片邊緣（或邊緣加背面）的擴散層，防止電池正面和背面短路。 除刻蝕槽外，其它化學槽和水槽都是噴淋結構，去PSG氫氟酸槽是噴淋結構，而且片子進入到溶液內(nèi)部。堿槽 溫度是由外圍提供的 coolingwater直接冷卻的。大片的碎片沉底，也需要及時清理和關注，否則沉底的碎片會因為反應而重新浮起至液面，造成賭片、疊片； 刻蝕槽疊片：
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