【正文】 ........................................................... 1 國內外現(xiàn)狀和技術發(fā)展趨勢 .................................................... 1 產業(yè)關聯(lián)度分析 ........................................................................ 4 市場分析 ................................................................................... 6 競爭力分析 ............................................................................... 9 第二章 項目技術基礎 ......................................................................... 11 成果來源及知識產權情況 ...................................................... 11 項目技術先 進性 ...................................................................... 12 項目的可行性和成熟性 .......................................................... 16 第三章 項目建設方案 ......................................................................... 20 項目總體方案 .......................................................................... 20 建設地點 ................................................................................. 20 項目進度 ................................................................................. 20 擬達到的經濟、技術目標及水平 .......................................... 21 第四章 環(huán)保、節(jié)能及原材料供應情況 ............................................. 22 環(huán)境保護 ................................................................................. 22 能源節(jié)約 ................................................................................. 23 原材料供應 ............................................................................. 23 第五章 項目法人基本情況 ................................................................. 24 企業(yè)概況 ................................................................................. 25 人員情況 ................................................................................. 25 企業(yè)資產信用狀況 .................................................................. 27 企業(yè)近三年生產經營情況 ...................................................... 28 第六章 項目投資及資金籌措 ............................................................. 28 投資估算 ................................................................................. 28 資金來源 ................................................................................. 37 2 第七章 經濟效益分析 ......................................................................... 39 經濟效益評價 ......................................................................... 39 財務評價附表 ......................................................................... 43 1 第一章 項目意義和必要性 國內外 現(xiàn)狀和技術發(fā)展趨勢 產品簡介 碳化硅（ SiC）涂層石墨基座是目前單晶硅外延生長用和氮化鎵（ GaN）外延生長用最好的基座之一，因此也稱單晶硅外延基座，它是外延爐的核心部件。該基座屬于大規(guī)模集成電路產業(yè)用單晶硅和 LED 光電子產業(yè)基礎材料 GaN 的生產配套件及關鍵設備，符合電子信息產業(yè)振興規(guī)劃。由于該基座是生產單晶硅和氮化鎵外延等半導體行業(yè)基礎材 料的關鍵部件，所以它是我國微電子、光電子產業(yè)發(fā)展的基礎和源頭。 國內外技術現(xiàn)狀 碳化硅（ SiC）氣相沉積技術是國外早已發(fā)展的技術，但作為化學氣相沉積，用做外延基座在我國至今仍然還是空白，所以，每年約幾十億元的資金用于進口此種基座， 西方各國 對 此技術的生產配方和工藝都極為保密 。 當前，生產 SiC 涂層的單晶硅外延生長用石墨基座企業(yè)，國內只有我公司一家能夠獨立的生產與研發(fā)，世界范圍內也只有 德國西格里碳素集團 、臺灣萬電國際、日本東洋碳素公司、美國 MEMC 電子材料有限公司擁有此技術，且長時間對我國形成技術壟斷。 國內外產品發(fā)展現(xiàn)狀 單晶硅外延用基座（ SiC 涂層石墨基座）近十年發(fā)展很快，有平面、立體基座等。 通過本項目的實施，將解決我國微電子、光電子行業(yè)電子基礎產品所需特種陶瓷基座的供給難題，實現(xiàn)半導體生產中關鍵易耗部件的國產化。 產品、技術發(fā)展趨勢 a、直徑呈擴大趨勢 單晶硅的 發(fā)展一直呈現(xiàn)大直徑的發(fā)展潮流，硅單晶圓片越大，同一圓片上生產的集成電路就越多，這樣既可降低成本，又能提高成品率，但材料技術和生產技術要求會更高。所以對單晶硅生長基座的需求呈現(xiàn)出大直徑的發(fā)展趨勢。 1976 年，中國科學院金屬研究所趙鳳鳴教授主動深入工廠，以遼陽第一晶體管廠為第一現(xiàn)場，幫助解決這一難題，并對我國當時使用的幾種基座（純硅基座、碳化硅基座、包硅基座、玻璃碳基座、熱解石墨基座）進行了試驗對比分析，最后國內推廣了他的科研成果，由研究單位到半導體廠家都采用了熱解石墨涂層基座，其中最明顯效益的是中科院半導體所與上海元器件五廠的合作，他們采用了熱解石墨外延基座后，二極管與三極管的制管成品率由 20%－ 30%提高到 80%，經濟效益顯著，榮獲了國家三等發(fā)明獎。據(jù) 1984 年不完全統(tǒng) 計，熱解石墨涂層基座總產量將近 10000 片，占我國外延基座總量的 90%以上，應用于全國 18 省市 70 多個半導體廠家與研究單位。 八十年代中后期，由于我國硅外延設備與技術落后，單晶硅外延廠家在減少，后來隨我國的改革開放，引進大量的國外技術與設備，硅外延基座全由國外進口，全是 SiC 涂層基座。九十年代中期由于國外 MOVPE 技術的發(fā)展，北京大學張國義教授提出要求要與Ⅲ Ⅴ族化合物不反應 的基座材料，經研究提供了兩種基座，即熱解 PBN 基座與 PG合金基座，這就是 90 年代中后期我國流行的 PBN 涂層石墨基座。用 PBN 涂層Φ 180mm 圓盤 5 槽基座，經南昌大學張鳳益教授試用效果與 SiC 基座相當，并由趙鳳鳴教授與南昌 4 大學張 鳳益共同申請了國家發(fā)明專利。 2021 年南昌（白光工程）會議后，引進國外設備的廠家，都在繼續(xù)引進國外 SiC 基座，用于白光工程，趙鳳鳴教授用熱解石墨合金涂層，應用 于單晶硅的導流筒和 GaAs 單晶的防熱罩，并將含 Si 的石墨合金應用于外延基座。 2021 年由趙鳳鳴教授研制的 SiC 涂層基座在南京大學試用，因使用效果良好使南京大學已成為我們的忠實客戶。為提高產品質量和生產高效率，又進一步發(fā)展為大直徑硅片外延爐。 產業(yè)關聯(lián)度分析 SiC 涂層石墨基座是在加工成型的石墨基座上通過 CVD 技術，形成氣 密性好、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化的涂層。而使用 SiC 涂層石墨基座就完全解決了這個問題，所以其在半導體行業(yè)中得到了廣泛的應用。它不僅可以提高集成電路的成品率，而且可以顯著提高其集成度和運算速度。 在光電子行業(yè)中的應用 除單晶硅外延片需要 SiC 涂層基座外，我國半導體照明行業(yè)中， GaN外延生長也需要大量的 SiC 基座。 從 LED 的產業(yè)鏈來看，包括外延片的生長、芯片 制造、封裝和終端產品四個環(huán)節(jié)，其中外延片的生長最為關鍵和重要。 LED 外延片和芯片制造，是 光電子 產業(yè)鏈中價值量和技術含量最高的部分。 II、 III 族金屬有機化合物它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。 在 MOCVD 設備中， 將藍寶石片或 GaAs 等晶圓放在 SiC 涂層石墨基座上通過外延生長方式，就能生長出 氮化鎵 （ GaN）外延晶片。 （ 1）單晶硅外延用 基座 我國Φ Φ 8IC 廠和分立元件廠，在 2021— 2021 新建生產線約 45條，月用 Φ 6硅拋光片（含外延片） 6070 萬片， Φ 8″硅拋光片月用量 45萬片。 2021 年中國大陸晶圓代工產業(yè)達到 25 億美元，據(jù) iSuppli 公司市場調查預測， 2021 年中國大陸芯片制造業(yè)將增長至 38 億美元，我國“十一五”期間再興建 20 家芯片廠才能滿足市 場需求。 （ 2） 氮化鎵 （ GaN）半導體照明材料用基座 以 GaN 為代表的第三代半導體材料及器件的開發(fā)是新興半導體產業(yè)的核心和基礎 ， 是信息產業(yè)前進的發(fā)動機 ， 同時有可能改變人類照明光源的技術現(xiàn)狀。它 可制成高效藍、綠光發(fā)光二極管 LED 和激光二極管 LD， 并可延伸到白光 LED， 將替代人類沿用至今的照明系統(tǒng)。 氮化鎵 屬固體照明， GaN 晶體 固態(tài)光源是一個 GaN－ 白光 LED 發(fā)光 8 器件 ， 具有全固體、冷光源、壽命長、體積小、光效高、響應速度快、耐酸堿性好等優(yōu)點。我國工程院士陳良惠測算：到 2021 年，我國只要 1/3 的白熾燈照明被半導體燈取代，其節(jié)能電量相當于再造一個三峽工程。 國內形成的以 GaN 為代 表的新興光電子產業(yè)，對 SiC 涂層石墨基座的年需求量在 2 萬套 左右，急待國內提供優(yōu)質廉價 SiC 基座。 （ 1）晶圓代工企業(yè) 對于我國較大的晶圓代工企業(yè)，如中芯國際、和艦科技、華虹 NEC等企業(yè)，經過業(yè)務人員的開拓， 也已與我公司建立了業(yè)務聯(lián)系，并已有了國際通用的 9 片機單晶用基座的供貨計劃。目前國內知名的半導體光電生產企業(yè)，如廈門三安電子、上海藍光、南昌光磊、中科電子科技集團十三所等近 20 多家企業(yè)與我公司達成了訂貨的意向。 （ 3）半導體封裝企業(yè)及其它 半導體器件金屬封裝廠家，用大量的 SiC 涂層石墨板材做金屬封裝底座；在粉沫冶金行業(yè)用 SiC 涂層石墨板作為隧道窯滾板，燒結用匣缽等，增加其強度及抗氧化性，從而延長壽命；在真空設備與單晶提拉領域中，SiC 涂層廣泛用于石墨發(fā)熱體、石墨導流筒及熱場材料中。 市場年均增長率 SiC 涂層石墨基座是消耗性材料，它占 Si 外延片成本的 1/4~1/5。據(jù) iSuppli公司市場調查預測， 2021 年中國大陸芯片制造業(yè)將增長至 60 億美元， 2021－ 2021 年的復合年增率為 19%。目前在我國，由 GaN到 Si 晶圓外延這么大的市場需求， SiC 涂層石墨基座卻沒有