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正文內(nèi)容

印刷電路板的制作工藝流程(ppt30頁(yè))-展示頁(yè)

2025-03-09 18:45本頁(yè)面
  

【正文】 明 P8 蝕刻:蝕刻液的化學(xué)成份、溫度、氯化銅 ph值及輸送速度等, ,皆會(huì)對(duì)光阻膜的性能造成考驗(yàn)。 曝 光 Exposure 流 程 說(shuō) 明 P7 內(nèi)層影像顯影 Developing 感光乾膜 內(nèi)層 Inner Layer 將未受光乾膜以顯影藥水去掉留已曝光乾膜圖案 顯影:顯像是一種濕式的製程,是利用碳酸鈉 (純鹼 )消泡劑及溫度所控制,可在輸送帶上以噴液的方式進(jìn)行,正常的顯影應(yīng)在噴液室的一半或 2/3的距離顯影乾淨(jìng),以免造成顯影過(guò)度,或顯影不潔,以致造成側(cè)蝕 (undercut)。 曝光時(shí)注意事項(xiàng): (1).曝光機(jī)及底片的清潔,以免造成不必要的短路或斷路。 壓膜 :是將光阻劑以熱壓方式貼附在清潔的板面上 流 程 說(shuō) 明 P6 乾膜 (Dry Film):是一種 能感光 ,顯像 ,抗電鍍 ,抗蝕刻 之阻劑 感光乾膜 內(nèi) 層 UV光線 內(nèi)層底片 曝光 曝 光 後 感光乾膜 內(nèi) 層 1..所謂曝光是指讓 UV光線穿過(guò)底片及板面的透明蓋膜 , 而達(dá)到感光之阻劑膜體中使進(jìn)行一連串的光學(xué)反應(yīng) 。良好的磨刷能去除油脂 (grease)、飛塵 (dust)、和顆粒 (particle)氧化層 (oxidixed layer),及表面的凹凸可以使乾膜與銅面有良好的密著性,以免產(chǎn)生 open的現(xiàn)象。銅面處理可分兩種型態(tài): :利用稀硫酸中和一一把銅面氧化物去除,有時(shí)銅箔表面有一層防銹的鉻化處理膜也應(yīng)一起去掉,時(shí)間大約為 12分鐘,濃度 10%(適用於多層板 )。 急客戶(hù)之所急,為您服務(wù)是我們的榮耀、做最適合您的供應(yīng)商是我們永遠(yuǎn)的追求! 公 司 簡(jiǎn) 介 深圳市威爾訊電子有限公司 P2 A. PCB 製作流程簡(jiǎn)介 P. 2 B. 各項(xiàng)製程圖解 P. 3 ~ Inner Layer Drilling Inner Layer Trace Inner Layer Etching Inner layer Inspection Inner Layer Test發(fā)料 內(nèi)層鑽孔 內(nèi)層線路 內(nèi)層蝕刻 內(nèi)層檢修 內(nèi)層測(cè)試裁基板規(guī)格 固定孔 用副片,壓膜,曝光,顯影 框架,去膜 O/S Black Oxide Lamination Outer Layer Drilling Black hole Dry Film Trace棕化 ( 黑化 ) 壓合 外層鑽孔 黑孔 一次銅 (X) 乾膜路線防止氧化 以固定孔鑽外層孔 將孔圖附一層導(dǎo)電膜 層與層導(dǎo)通 用正片,壓膜,曝光Inspection Solder Mask 一修 二次銅 去膜蝕刻剝錫鉛 中檢 半成品測(cè)試 防焊印刷增加導(dǎo)電性 UV光線 目視法 以治具測(cè)試之 用棕片,印綠漆Gold Plating Silk Legend Router Test O/S Final Inspection鍍金手指 噴錫 文字 成型 測(cè)試 總檢金粉 將孔附著錫 將文字印上客戶(hù)插件位置 依成型板將定位孔去除 以治具測(cè)試之Shipping Packing 出貨 包裝電路板製造作業(yè)流程P3 流 程 說(shuō) 明 內(nèi) 層 裁 切 依工程設(shè)計(jì)基板規(guī)格及排版圖裁切生產(chǎn)工作尺寸 48 in 36 in 42 in 48 in 基板種類(lèi) 組 成 及 用 途FR3 紙基, 環(huán)氧樹(shù)脂, 難燃G10 玻璃布,環(huán)氧樹(shù)脂, 一般用途FR4 玻璃布,環(huán)氧樹(shù)脂,難燃G11 玻璃布,環(huán)氧樹(shù)脂,高溫用途FR5 玻璃布,環(huán)氧樹(shù)脂,高溫並難燃FR6 玻璃蓆,聚脂類(lèi),難燃CEM1 兩外層是玻璃布,中間是木漿紙纖維,環(huán)氧樹(shù)脂,難燃CEM3 兩外層是玻璃布,中間是玻璃短纖所組成的蓆,環(huán)氧樹(shù)脂,難燃40 in 48 in P4 基 板 銅箔 Copper 玻璃纖維布加樹(shù)脂 1/2oz1/1oz mm A. 1080 (PP) mil B. 7628 (PP) mil C. 7
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