[配套]第12章存儲器和可編程邏輯器件-展示頁
2025-02-14 16:11本頁面
【正文】 等簡單工藝，制成成品電路。 特點 ：周期較短，成本較低，風險小。 特點：集成度高，速度快，靈活性好，可重復編程。 1. PLD器件的連接表示方法 固定連接 可編程連接 不連接 2. 門電路表示法 1 A A 1 A A A A 反向緩沖器 A B C F A B C F 與門 A B C ≥1 F A B C ≥1 F 或門 3. 陣列圖 1 A 1 B 1 C D=BC E=AABBCC=0 F=AABBCC=0 G=1 存儲器 存儲器是一種通用大規(guī)模集成電路 ,用來存放程序和數(shù)據(jù) . 存儲器分類 : 1) 只讀存儲器 (ROM) 2) 隨機存取存儲器 (RAM) ROM (ReadOnly Memory) ROM存放固定信息 ,只能讀出信息 ,不能寫入信息 .當電源切斷時 ,信息依然保留 . 1. ROM的結(jié)構(gòu) . . . . . . A0 A1 An1 地址譯碼器 存儲陣列 2n m W0 W1 W2n1 F0 F1 Fm1 字線 位線 地址線 1) 地址譯碼器為二進制譯碼器 ,即全譯碼結(jié)構(gòu) .(地址線為n根 ,譯碼器輸出為 2n根字線 ,說明存儲陣列中有 2n個 存儲單元 ) 2) 存儲陣列輸出有 m根位線 ,說明每個 存儲單元 有 m位 ,即 一個字有 m位二進制信息組成 .每一位稱為一個 基本存 儲單元 . 3) 存儲器的容量定義為 : 字數(shù)位數(shù) (2n m). 一個二極管 ROM的例子 A1 A0 F0 F1 F2 F3 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 2 1 1 0 0 1 0 1 A1 1 A0 W0 W1 W2 W3 F0 F1 F2 F3 位線 字線 ① W0~W3為地址譯碼器的輸出 Wi=mi (mi為地址碼組成 的最小項） ② 當 A1A0=00時， W0=1, F0F1F2F3=0100(一個字）； 當 A1A0=01時， W1=1, F0F1F2F3=1001(一個字）； 當 A1A0=10時， W2=1, F0F1F2F3=0110(一個字）； 當 A1A0=11時， W3=1, F0F1F2F3=0010(一個字）。 ④ 陣列圖 與陣列： 表示譯 碼器。 存儲容量為： 4 4 地址 數(shù)據(jù) A1 A0 F0 F1 F2 F3 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 2 1 1 0 0 1 0 1 A1 1 A0 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 F0 F1 F2 F3 m0 m1 m2 m3 用戶可根據(jù)需要自行進行編程的存儲器 . 1) PROM(Programmable ReadOnly Memory) PROM為能進行一次編程的 ROM， PROM的結(jié)構(gòu)和 ROM基本相同 ,只是在每個存儲管上加一根易熔的金屬絲接到相應的位線 . 位線 字線 當在該位上需要存 0時 ,通過 編程 ,燒斷熔絲 。 容量： 2K 8位 受光窗口 工作方式 讀 出 未選中 待 機 編 程 禁止編程 校驗讀出 CE OE VPP 數(shù)據(jù)線 D7~D0的狀態(tài) 0 0 +5V 讀出的
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