薄膜的制備工藝(ppt43頁)-展示頁
2025-02-12 01:49本頁面
【正文】 ? 薄膜和基片的粘附性 ? 薄膜中的內(nèi)應(yīng)力 ? 異常結(jié)構(gòu)和非理想化學(xué)計量比特性 ? 量子尺寸效應(yīng)和界面隧道穿透 ? 容易實現(xiàn)多層膜效應(yīng) 氣相法 液相法 PVD CVD 常壓 CVD、 低壓 CVD、 金屬有機(jī)物 CVD、 等離子體 CVD、 光 CVD、熱絲 CVD 真空蒸發(fā) Evaperation 濺射 Sputtering 離子鍍 Ion plating 化學(xué)鍍 (CBD)、電鍍 (ED)、溶膠 凝膠（ SolGel）、金屬有機(jī)物分解（ MOD）、液相外延（ LPE）、水熱法（ hydrothermal method）、噴霧熱解 (spray pyrolysis)、噴霧水解 (spray hydrolysis)、 LB膜及自組裝(selfassemble) 真空蒸發(fā) 電阻蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、高頻感應(yīng)蒸發(fā)、 激光燒蝕、閃蒸、多源蒸發(fā)、反應(yīng)蒸發(fā)、 分子束外延 濺射 二級濺射、三級 /四級濺射、偏壓濺射、吸氣濺射、反應(yīng)濺射、 磁控濺射 、 射頻濺射 、對向靶濺射、離子束濺射、中頻濺射 離子鍍 直流二級型、三級或多陰極型、活性反應(yīng)型、空心陰極型、射頻離子鍍、多弧離子鍍、離子束輔助沉積、離化團(tuán)簇鍍 等離子體 CVD 直流等離子體 、 射頻等離子體 脈沖等離子體 、 微波等離子體 電子回旋共振等離子體 一般，對于制備薄膜的要求，可以歸納如下： ①膜厚均勻； ②膜的成分均勻； ③沉積速率高，生產(chǎn)能力高； ④重復(fù)性好； ⑤具有高的材料純度高，保證化合物的配比； ⑥具有較好的附著力（與基體），較小的內(nèi)應(yīng)力。 1微米 ● 厚膜 (thick film)：由涂覆在基板表面的懸浮液、膏狀物經(jīng)干燥、煅燒而形成。 ? ③ 采用特定的制備方法在基板表面上生長得到的 一薄層固態(tài)物質(zhì) 。薄膜的制備工藝 賈增民 53所 主要內(nèi)容 薄膜的分類 薄膜的特點 藝 學(xué)氣相沉積 ① 由單個的原子、離子、原子團(tuán)無規(guī)則地入射到基板表面，經(jīng)表面附著、遷徙、凝結(jié)、成核、核生長等過程而形成的一薄層固態(tài)物質(zhì)。 Vacuum Substrate Atom Thin Film 的幾種定義 上平面：空氣 固體膜、液體膜 下平面：固體表面、液體表面、空氣 ②夾在兩個平行平面間的薄層。 ● 薄膜 (thin film)：由物理氣相沉積 (PVD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、溶液鍍膜法等薄膜技術(shù)制備的薄層。 10微米 主要方法 ：絲網(wǎng)印刷 (Print)、熱噴涂 (Spray) 歷史 ：陶瓷表面上釉 涂層 薄膜 厚膜 說明 : 溶膠－凝膠 (SolGel)、金屬有機(jī)物熱分解(MOD)、噴霧熱解和噴霧水解等屬于薄膜方法，但從原理上更接近厚膜方法。 (physical vapor deposition ） 物理氣相沉積 (physical vapor deposition ): 用熱蒸發(fā)或電子束、激光束轟擊靶材等方式產(chǎn)生氣相物質(zhì)，在真空中向基片表面沉積形成薄膜的過程稱為物理氣相沉積。 濺射 Sputtering包括直流濺射 (DC sputtering)（一般只能用于靶材為良導(dǎo)體的濺射）、射頻濺射 (rf sputtering)、磁控濺射 (magron sputtering)、反應(yīng)濺射 (reactive sputtering)和離子束濺射 (ion beam sputtering) 離子鍍 Ion plating (chemical vapor deposition ) 化學(xué)氣相沉積 :一定化學(xué)配比的反應(yīng)氣體，在特定激活條件下 (一般是利用加熱、等離子體和紫外線等各種能源激活氣態(tài)物質(zhì) )
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