模擬電子技術(shù)電子教案(第一章)n-展示頁
2025-01-11 03:58本頁面
【正文】 征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。外部條件一定時(shí)，不斷有本征激發(fā)產(chǎn)生新的電子和空穴，也不斷有電子與空穴復(fù)合而消失，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。+4 +4+4 +4本征半導(dǎo)體特點(diǎn)n 本征激發(fā)產(chǎn)生成對(duì)電子和空穴。+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的載流子濃度，除與半導(dǎo)體材料本身的性質(zhì)有關(guān)以外，還與溫度密切相關(guān)，而且隨著溫度的升高，基本上按指數(shù)規(guī)律增加。+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體載流子在電場作用下的定向運(yùn)動(dòng)稱為 漂移 .本征半導(dǎo)體中自由電子數(shù) ni等于空穴數(shù) pi， 即 ni＝ pi.+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體產(chǎn)生自由電子和空穴對(duì)的同時(shí)，部分電子也失去能量 返回到共價(jià)鍵 處，使自由電子和空穴對(duì)消失，此過程稱為載流子的 復(fù)合 。+4 +4 +4+4 +4 +4+4 +4 +4圖 1－ 3 本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴空穴自由電子1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體電子和空穴均是能夠自由移動(dòng)的帶電粒子，稱為 載流子 。1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體在絕對(duì)溫度 0K(273℃) 時(shí)，本征半導(dǎo)體中的電子受原子核的束縛，故該半導(dǎo)體不存在能導(dǎo)電的粒子，從而呈現(xiàn)絕緣體的性能。共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4表示除去價(jià)電子后的原子+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。l 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為本征半導(dǎo)體。原子序號(hào)分別為 14（ 4）和 32（ 1 4）。l 典型的半導(dǎo)體有 硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵GaAs等 。l 晶體管的放大作用、輸入特性曲線和輸出特性曲線、主要參數(shù)、溫度對(duì)參數(shù)的影響。模擬電子技術(shù)電子教案制作人：郭建才華南師范大學(xué)教育信息技術(shù)學(xué)院第一章 半導(dǎo)體器件 教學(xué)目標(biāo) 本章應(yīng)重點(diǎn)掌握以下內(nèi)容：l 半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娞匦?、伏安特性以及主要電參?shù)。l 硅穩(wěn)壓二極管的伏安特性、穩(wěn)壓原理及主要電參數(shù)。教學(xué)內(nèi)容1 . 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1 . 2 PN結(jié) 1 . 3 半導(dǎo)體三極管1 . 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)l 1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 1 . 1 . 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，來劃分 導(dǎo)體 、 絕緣體 和 半導(dǎo)體 。1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成晶體。1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體在硅和鍺晶體中，每個(gè)原子與其相鄰的原子之間形成共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。+4 +4+4 +4l 共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。
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