模擬電子技術(shù)康華光第4章雙極型三極管及放大電路基礎(chǔ)-1-展示頁(yè)
2025-01-08 09:12本頁(yè)面
【正文】 ?AVCEVBERBIBVC C ++– –––++注意： T的類型與 VBE、 IB、 VCE、 IC極性eb c BJT的特性曲線vCE = 0V+bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB +vCE iB=f (vBE)? vCE=常數(shù)vCE ? 1V(1) 當(dāng) vCE=0V時(shí)，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。 （以 NPN為例）放大狀態(tài)下 BJT中載流子的傳輸過(guò)程集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制 載流子IE=IB+ IC ?、 ? 為電流放大系數(shù) ， 它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無(wú)關(guān)。發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管。共發(fā)射極接法 ：e作為公共端；b為輸入端，c為輸出端； BJT的電流分配和放大原理becNNPEBRBECRC在三極管內(nèi)部：在三極管內(nèi)部：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏PNP管管發(fā)射結(jié)正偏 VBVE集電結(jié)反偏 VCVB即 VCVBVE1. 三極管放大的條件三極管放大的條件從外部的電位看： NPN 管 發(fā)射結(jié)正偏 ： VBVE（（ EB來(lái)實(shí)現(xiàn) ））集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏 ： VCVB （（ EC來(lái)實(shí)現(xiàn) ）） 即 VCVBVE 共射放大電路組成 BJT的電流分配與放大原理2. 內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過(guò)載流子傳輸體現(xiàn)出來(lái)的。發(fā)射極集電極基極集電極電流發(fā)射極電流基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié) Je集電結(jié) JcbecNNP基極發(fā)射極集電極集電區(qū)：面積最大問題 ： c、 e兩極可否互換？BJT結(jié)構(gòu)特點(diǎn) ：：? 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；? 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；? 基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低?！睢睢睢?第四章第四章 雙極型三極管及放大電路基礎(chǔ)雙極型三極管及放大電路基礎(chǔ) 半導(dǎo)體三極管（半導(dǎo)體三極管（ BJT— 雙結(jié)晶體管）雙結(jié)晶體管） 共射極放大電路共射極放大電路 放大電路放大電路 分析方法分析方法 放大電路的穩(wěn)定工作點(diǎn)問題放大電路的穩(wěn)定工作點(diǎn)問題 共集電極和共基極放大電路共集電極和共基極放大電路 放大電路的頻率特性放大電路的頻率特性 組合放大電路組合放大電路第第 4章章 半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)按頻率按頻率：：高頻管、低頻管按功率按功率：：按材料：按材料：小、中、大功率管硅管、鍺管按類型：按類型： NPN型、 PNP型半導(dǎo)體三極管 : 是具有電流放大功能的元件三極管分類：167。 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管 （（ BJT— 雙結(jié)晶體管雙結(jié)晶體管 ）） 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)N NPNPN型becbecPNP型P PN基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極beciB iEiCbeciB iEiCNPN型三極管符號(hào) PNP型三極管符號(hào)發(fā)射極箭頭表示：當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏時(shí)，電流的流向。管芯結(jié)構(gòu)剖面圖BJT結(jié)構(gòu)剖面圖：☆☆ 三極管的基本接法三極管的基本接法共集電極接法 ：c作為公共端；b為輸入端，e為輸出端； 共基極接法 ：b作為公共端，e為輸入端， c為輸出端。 外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。或 BJT (Bipolar Junction Transistor)。一般 ? ?1， ?≈幾十。（以共射極放大電路為例）1. 輸入特性曲線(2) 當(dāng) vCE≥1V時(shí)， vCB= vCE vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反 偏狀態(tài)，開始收集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的 vBE 下 IB減小，特性曲線右移。 在放大區(qū)， 發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于 放大狀態(tài) 。 在截止區(qū)發(fā)射結(jié) Je處于反向偏置，集電結(jié) Jc處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。 在飽和區(qū)， ?IB ?IC，發(fā)射結(jié)處于正向偏置， 集電結(jié)也處于正 偏。VCES(1)放大區(qū) ： Je正偏， Jc反偏 ； IC=?IB , 且 ? iC = ? ? iB； VCVBVE。(3) 截止區(qū) :Je反偏或零偏 ， VBE Vth? 0， iB=0 ， iC=ICEO ?0 ☆ 輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn) : 測(cè)量三極管三個(gè)電極對(duì)地電位，試判斷三極管的工作狀態(tài) 。 VBE=－ （ V）， Je正偏； VCE=－ 5V， Jc反偏 ，?PNP管為放大狀態(tài) 。也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。較小的情況下，兩者數(shù)值接近。間。例：例： 三極管輸出特性如圖，三極管輸出特性如圖， 在在 VCE= 6 V時(shí)，時(shí)， 在在 Q1 點(diǎn)點(diǎn) IB=40?A, IC=；； 在在 Q2 點(diǎn)點(diǎn) IB=60 ?A, IC=。求 和和 基極反向截止電流基極反向截止電流 ICBO ICBO是由少數(shù)載流子的是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，受溫度的影響大。 溫度溫度 ??ICBO?ICBO?A +– EC 射極反向截止電流射極反向截止電流 (穿透電流穿透電流 )ICEO?AICEOIB=0+– ICEO受溫度的影響大。溫度溫度 ??ICEO?， 所以所以 IC也也相應(yīng)增加。 三極管的溫三極管的溫度特性較差。2. 極間反向電流 1. 集電極最大允許電流集電極最大允許電流 ICM2. 集集 射極反向擊穿電壓射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 集電極電流集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當(dāng)值的下降，當(dāng) ?值值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。手冊(cè)上給出的
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1