模擬電子技術(shù)4-晶體三極管及其基本放大電路-展示頁
2025-03-02 21:33本頁面
【正文】 無量綱 無量綱 電導(dǎo) h參數(shù)的物理意義 beBBE11CE riuhU ????BCEBE12 Iuuh???????? CEBC21 UiihceCEC22 1B ruihi ????be間的 動(dòng)態(tài)電阻 內(nèi)反饋 系數(shù) 電流放大系數(shù) ce間的電導(dǎo) 分清主次，合理近似！什么情況下 h12和 h22的作用可忽略不計(jì)？ 簡(jiǎn)化的 h參數(shù)等效電路 —— 交流等效模型 EQTbb39。 1. 直流模型 ：適于 Q點(diǎn)的分析 理想二極管 利用估算法求解靜態(tài)工作點(diǎn)，實(shí)質(zhì)上利用了直流模型。 Q＝ ？ 直流通路 阻容耦合單管共射放大電路的直流通路和交流通路 二、等效電路法 ? 半導(dǎo)體器件的非線性特性使放大電路的分析復(fù)雜化。 VBB越大， UBEQ取不同的值所引起的 IBQ的誤差越小。為簡(jiǎn)化分析，將它們分開作用，引入直流通路和交流通路的概念。 2. 交流通路 ：①大容量電容相當(dāng)于短路；② 直流電源相當(dāng)于短路（內(nèi)阻為 0）。 167。 負(fù)載上只有交流信號(hào)。其作用是“隔離直流、通過交流”。 1. 組成原則 2. 兩種實(shí)用放大電路 ： （ 1） 直接耦合放大電路 問題： 1. 兩種電源 2. 信號(hào)源與放大電路不“共地” 共地，且要使信號(hào)馱載在靜態(tài)之上 靜態(tài)時(shí)， b1B E Q RUU ?動(dòng)態(tài)時(shí)， be間電壓是 uI與VCC的共同作用的結(jié)果。 ? 動(dòng)態(tài)信號(hào)能夠作用于晶體管的輸入回路，在負(fù)載上能夠獲得放大了的動(dòng)態(tài)信號(hào)。 )( oCECBI c uuuiiu R ?????????動(dòng)態(tài)信號(hào)作用時(shí)： 輸入電壓 ui為零時(shí)，晶體管各極的電流、 be間的電壓、管壓降稱為靜態(tài)工作點(diǎn) Q，記作 IBQ、 ICQ（ IEQ）、 UBEQ、 UCEQ。 VCC：使 UCE≥UBE，同時(shí)作為負(fù)載的能源。 167。 CECCM uiP ? CEBCUii????uCE=1V時(shí)的 iC就是 ICM U（ BR） CEO ? 利用 Multisim分析圖示電路在 V2小于何值時(shí)晶體管截止、大于何值時(shí)晶體管飽和。 為什么 uCE較小時(shí) iC隨 uCE變化很大？為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？ 飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) Bi?Ci?常量????CEBCUii?晶體管的三個(gè)工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源 iC 。 少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng) 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使擴(kuò)散到基區(qū)的電子（非平衡少子）中的極少數(shù)與空穴復(fù)合 因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴的擴(kuò)散 ?電流分配： IE＝ IB＋ IC IE－擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流 IB－復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流 IC－漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流 C B OC E OBCBC)(1 IIiiII?????????穿透電流 集電結(jié)反向電流 直流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù) 為什么基極開路集電極回路會(huì)有穿透電流？ 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 CE)( BEB Uufi ?為什么 UCE增大曲線右移？ 對(duì)于小功率晶體管， UCE大于 1V的一條輸入特性曲線可以取代 UCE大于 1V的所有輸入特性曲線。 晶體三極管 一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 二、晶體管的放大原理 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 四、溫度對(duì)晶體管特性的影響 五、主要參數(shù) 一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 多子濃度高 多子濃度很低，且很薄 面積大 晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè) PN結(jié)。 晶體管放大電路的三種接法 167。 放大電路的組成原則 167。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) Fundamentals of Analog Electronic 第四章 晶體三極管及其基本放大電路 第四章 晶體三極管及其基本放大電路 167。 晶體三極管 167。 放大電路的分析方法 167。 放大電路的頻率響應(yīng) 167。 小功率管 中功率管 大功率管 為什么有孔？ 二、晶體管的放大原理 ??? ???（集電結(jié)反偏），即（發(fā)射結(jié)正偏）放大的條件BECECBonBE0 uuuUu 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流 IE，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流 IB，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流 IC。 為什么像 PN結(jié)的伏安特性？ 為什么 UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？ 1. 輸入特性 2. 輸出特性 B)( CEC Iufi ?β是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ? ???對(duì)應(yīng)于一個(gè) IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。 狀態(tài) uBE iC uCE 截止 ＜ Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 飽和 ≥ Uon ＜ βiB ≤ uBE 四、溫度對(duì)晶體管特性的影響 ????????BEBBBEC E O )(uiiuIT不變時(shí)，即不變時(shí)℃?五、主要參數(shù) ? ?? 直流參數(shù) ： 、 、 ICBO、 ICEO ce間擊穿電壓 最大集電極電流 最大集電極耗散功率， PCM＝ iCuCE 安全工作區(qū) ? 交流參數(shù)： β、 α、 fT（使 β＝ 1的信號(hào)頻率） ? 極限參數(shù) ： ICM、 PCM、 U（ BR） CEO EC II?? ????????1ECii討論一 由圖示特性求出 PCM、 ICM、 U （ BR） CEO 、 β。 討論二 約小于 截止 約大于 1V時(shí)飽和 ? 以 V2作為輸入、以節(jié)點(diǎn) 1作為輸出，采用直流掃描的方法可得輸出電壓與輸出電壓之間函數(shù)關(guān)系的曲線，即電壓傳輸特性。 放大電路的組成原則 一、基本共射放大電路的工作原理 二、如何組成放大電路 一、 基本共射放大電路的工作原理 VBB、 Rb：使 UBE＞ Uon，且有合適的 IB。 Rc：將 ΔiC轉(zhuǎn)換成 ΔuCE(uO) 。 共射 1. 電路的組成及各元件的作用 2. 設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)的必要性 輸出電壓必然失真！ 設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，首先要解決失真問題，但 Q點(diǎn)幾
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