【正文】 IE/mA 0 4. 在表的第一列數(shù)據(jù)中， IE = 0 時(shí)， IC = mA = ICBO， ICBO 稱為 反向飽和電流 ?！?2. 當(dāng) IB 有 微小變化時(shí)， ? IC 較大。 Date910河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)beceRcRbICBOIEICIBIBnICn2. 電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知 IC= ICn+ ICBO IB= IBn ICBO通常 IC ICBOIE=IB+ IC ? 為電流放大系數(shù)， 與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān) 一般 ? = ? 1011河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)根據(jù) IE=IB+ IC可得 ? 是另一個(gè)電流放大系數(shù)， 同樣，它也與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)。ICBO圖 　三極管中載流子的運(yùn)動(dòng) 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管。其能量來自外接電源 VCC ?！?　 多數(shù)電子在基區(qū)繼續(xù)擴(kuò)散，到達(dá)集電結(jié)的一側(cè)。Date78河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)becRcRbI EIB 1）發(fā)射 　 發(fā)射區(qū)的電子越過發(fā)射結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，基區(qū)的空穴擴(kuò)散到發(fā)射區(qū) — 形成發(fā)射極電流 IE (基區(qū)多子數(shù)目較少，空穴電流可忽略 )?！?　 三極管放大的外部條件 ：外加電源的極性應(yīng)使 發(fā)射結(jié)處于正向偏置 狀態(tài)，而 集電結(jié)處于反向偏置 狀態(tài)?！?　 2. 基區(qū)做得很薄。圖 　三極管的結(jié)構(gòu)(a)平面型 (NPN) (b)合金型 (PNP)be cPNPNcSiO2 b硼雜質(zhì)擴(kuò)散 e磷 雜質(zhì)擴(kuò)散磷 雜質(zhì)擴(kuò)散磷 雜質(zhì)擴(kuò)散硼雜質(zhì)擴(kuò)散硼雜質(zhì)擴(kuò)散P NDate34河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)圖 　三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào) 　　 (a)NPN 型ecb符號(hào)集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c基極 b發(fā)射極 eNNPDate45河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)集電極 c發(fā)射極 e基極 b　　 cbe符號(hào)NNPPN圖 　三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)　 　 (b)PNP 型Date56河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)　　 BJT的電流分配與放大作用的電流分配與放大作用以 NPN 型三極管為例討論圖 　三極管中的兩個(gè) PN 結(jié)cNNPeb bec表面看 　　三極管若實(shí)現(xiàn)放大，必須從三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)和 外部條件 來保證?！　∪龢O管有兩種類型： NPN 和 PNP 型。1河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ) 半導(dǎo)體三極管 共射極放大電路 圖解分析法 小信號(hào)模型分析法 放大電路的工作點(diǎn)穩(wěn)定問題 共集電極電路和共基極電路 放大電路的頻率響應(yīng) 半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)Date12河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)　半導(dǎo)體　半導(dǎo)體 BJT　　又稱半導(dǎo)體三極管、晶體管，或簡(jiǎn)稱為三極管。(Bipolar Junction Transistor)三極管的外形如下圖所示。 圖 　三極管的外形Date23河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)　三極管的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介　三極管的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介常用的三極管的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類型。不具備放大作用Date67河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求：NNPebc　　 1. 發(fā)射區(qū)高摻雜。通常只有幾微米到幾十微米，而且摻雜較少。3. 集電區(qū)面積大。 2）復(fù)合和擴(kuò)散 　 電子到達(dá)基區(qū)，少數(shù)與空穴復(fù)合形成基極電流 Ibn， 復(fù)合掉的空穴由 VBB 補(bǔ)充。圖 　三極管中載流子的運(yùn)動(dòng)Date89河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)becI EI BRcRb　 　 3） 收集 　 集電結(jié)反偏，有利于收集基區(qū)擴(kuò)散過來的電子而形成集電極電流 I。I C　 　 另外，集電區(qū)和基區(qū)的少子在外電場(chǎng)的作用下將進(jìn)行漂移運(yùn)動(dòng)而形成 反向飽和電流 ，用 ICBO表示?；?BJT (Bipolar Junction Transistor)。 一般 ? 1Date1112河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)一組三極管電流關(guān)系典型數(shù)據(jù)IB/mA ? 0 IC/mA IE/mA 0 1. 任何一列電流關(guān)系符合 IE = IC + IB， IB IC IE, IC ? IE。說明 三極管具有電流 放大作用 。 在表的第二列數(shù)據(jù)中， I B = 0， IC = mA = ICEO， 稱為 穿透電流 。Date1516河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個(gè)條件是：（ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度很高，基區(qū)很薄，集電區(qū)面積很大。綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。IBUCE圖 　三極管共射特性曲線測(cè)試電路ICVCCRbVBBcebRcV?+ V?+?A ?++?mA 輸入特性：輸出特性：UBEDate1718河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)一、輸入特性 (1) UCE = 0 時(shí)的輸入特性曲線RbVBBcebIB+UBE_VBBIB+UBE_bceOIB/?A 當(dāng) UCE = 0 時(shí)，基極和發(fā)射極之間相當(dāng)于兩個(gè) PN 結(jié)并聯(lián)。圖 (上中圖 )　 圖 (下圖 )　Date1819河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)　　 (2) UCE 0 時(shí)的輸入特性曲線　 　 當(dāng) UCE 0 時(shí)，這個(gè)電壓有利于將發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子收集到集電極。 * 特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )OIB/?A * UCE ≥ 1 V， 特性曲線重合。A80181。A40 181。AIB = 0O 5 10 154321截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)　　 1. 截止區(qū) 　條件 ：兩個(gè)結(jié)都處于反向偏置。 硅管約等于 1 ?A， 鍺管約為幾十 ~ 幾百微安。IC / mAUCE /V100 181。A60 181。A20 181。A80181。A40 181。AIB =0O 5 10 154321對(duì) NPN 型管， UBE 0 UBC 0 特點(diǎn) ： IC 基本上不隨 IB 而變化，在飽和區(qū)三極管失去放大作用。 當(dāng) UCE = UBE， 即 UCB = 0 時(shí)，稱 臨界飽和 ， UCE UBE時(shí)稱為 過飽和 ?！　‘?dāng) b 開路時(shí)， c 和 e 之間的電流。圖 　反向飽和電流的測(cè)量電路Date2627河北工程大學(xué) 信電學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)三、 極限參數(shù)1. 集電極最大允許電流 ICM BJT的參數(shù)變化不超過允許值時(shí)集電極允許的最大電流。ICUCE PCM 為安全工作區(qū)ICUCE PCM 為過損耗區(qū)ICUCEOPCM = ICUCE安全工 作 區(qū)安全工 作 區(qū)過損